补充座半导体器件及与非门.pptxVIP

半导体基础知识;半导体;1. 本征半导体;1.2本征半导体的共价键结构; 共价键上的两个电子是由相邻原子各用一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电子。 束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。 因此，在绝对温度T=0?K（-273 ?C）时，由于共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。;1.3 电子与空穴;1.4电子与空穴;1.5电子与空穴的复合;2. 杂质半导体;2.1 N型半导体;2.1 N型半导体;2.2N型半导体结构;2.3 P型半导体;2.4 P型半导体结构;2.5. 杂质对半导体导电性的影响;本节中的有关概念;3.1.2 PN结及其单向特性;N区;PN结的形成;PN结的形成;2. PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ;PN结的伏安特性;4. PN结的击穿特性;3.2.1 半导体二极管;二极管的结构;3.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线; 硅二极管的死区电压VT=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压VT=0.1 V左右。 ; 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：;反向特性;3.2.3 半导体二极管的型号;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;理想模型;3.2.4 二极管基本应用;3.2.4二极管基本应用;3.2.4二极管基本应用;电路及输入电压Ui的波形如图所示。画出输出电压Uo的波形。(不考虑二极管的导通压降);二极管基本应用;3.2.5 稳压二极管;3 稳压管应用;3 稳压管应用;稳压管应用; 图示的电路中，分别求RL等于30kΩ、4kΩ和3kΩ时，流过稳压管的电流IZ的值。; 只要当VD工作在击穿区时，负载虽然有变化，VD的工作点从C点移到a点，ΔIZ变化很大，但ΔUZ却变化很小，Uo=UZ近似不变。; ③ 当RL=3kΩ时： ;在图所示的电路中，当负载RL开路(RL=∞)时，求UI从40V变化到60V时，流过稳压管的电流IZ的值。; 只要VD工作在击穿区，当输入信号Ui发生变化，使VD的工作点从b点移到d点时，虽然ΔIZ变化很大，但ΔUZ变化很小，Uo=UZ近似不变。;3.3 半导体三极管 ;三极管的型号;3.3 半导体三极管 ;3.3 半导体三极管;半导体三极管的结构;3.3.1 三极管放大原理与电流关系;3.3.1三极管内部的电流分配与控制;电流分配与控制;电流分配与控制;电流分配与控制;电流分配与控制;晶体管一旦制成，从e区发射的电子到达C区的比例也就定了，此比例称为电流放大系数。 将IC与IB的比值定义为共射直流电流放大系数 ，将变化量ΔIC与ΔIB的比值定义为共射交流电流放大系数β。即;一般情况下， ≈β，故可得： IE=IB+IC=IB+βIB=(1+β)IB 把IC与IE的比值定义为共基极直流电流放大系数 ；把变量ΔIC与ΔIE的比值定义为共基极交流电流放大系数α。即 ;所以 ;电流放大系数;因为e结正向电压，所以由PN结的正向特性可知： BJT的b、e极之间只要有较小的变化量ΔUBE，就可产生较大的ΔIB； 通过BJT的电流放大，又可引起更大的ΔIC，而ΔIC流过集电极负载电阻Rc后； 在其两端产生的电压ΔUCE(对直流电源UCC而言，其变化量为零)，将会比ΔUBE大很多倍； BJT的电流放大就被转换为电压放大的形式了。;特性曲线;一、输入特性;（3）有一门限电压──晶体管开始导通时的基极电压（硅管0.7V，锗管0.2V）。 （4）晶体管正常工作时，发射结的压降变化不大（硅管0.7V，锗管0.2V）。 （5）输入特性是非线性的。 ;IC(mA );输出特性曲线的特点 （1）当IB=0时，IC≠0。 （2）UCE=0时，IC=0。发射区注入到基区的电子不能被集电区所收集。当UCE＜1V，UCE↑→IC↑。 （3）UCE1V以后，随着UCE的增加，IC几乎不变。曲线几乎平行等距。并且IB越大，曲线越往上移。 ;★放大区：发射结正偏，集电结反偏。曲线平行等距，曲线的疏密反映了β的大小。β=ΔIC/ΔIB，IC受IB控制。;IC(mA );IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。;UB