pdp铝掺杂氧化镁介质层的分析-analysis of magnesium oxide doped aluminum dielectric layer in pdp.docxVIP

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pdp铝掺杂氧化镁介质层的分析-analysis of magnesium oxide doped aluminum dielectric layer in pdp

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名:日期:年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:导师签名:日期:年月日摘要摘要等离子显示器(PDP)具有色彩逼真、屏幕大、视角宽、亮度高、响应速度快及清晰度高等特点,在众多显示器件中脱颖而出,成为高清晰度大屏幕电视及显示终端的最佳候选者之一,但由于其功耗大、成本高,制约了PDP的进一步发展。改善PDP介质层的性能,是提高PDP放电效率和降低功耗的重要途径,其方法主要有在MgO介质层中掺杂其他材料、寻找新材料代替MgO等。结合国内外相关研究成果,本文提出了在MgO中掺杂Al的方法,来实现改善PDP介质层性能的目的。本文的主要内容及结论:1、用水热法制备了铝掺杂氧化镁粉末,用SEM和XRD对铝掺杂氧化镁粉末的形貌和晶相进行了表征,对铝掺杂氧化镁粉末的制备方法进行了优化,制备出了形状规则、粒径大于5μm的立方体状铝掺杂氧化镁粉末。2、探索了直接沉淀法和金属醇盐水解法制备铝掺杂氧化镁粉末,用SEM和XRD对铝掺杂氧化镁粉末的形貌和晶相进行了表征。直接沉淀法制备铝掺杂氧化镁的缺点是,铝掺杂量大于1%时无法使铝完全掺入到MgO晶格中,且直接沉淀法无法制备出立方体状颗粒。金属醇盐水解法制备铝掺杂氧化镁的缺点是,金属醇盐溶液难以制备,铝掺杂量难以控制,制备时间周期长,且不适合大规模生产。3、测试了铝掺杂氧化镁介质层PDP的放电电压性能。水热法制备的铝掺杂氧化镁粉末,当铝掺杂量不超过3%时,PDP的着火电压与维持电压可分别降低16.3%和15.7%。沉淀法制备的铝掺杂氧化镁粉末,只有当铝掺杂量不超过1%时,PDP的放电电压有所降低,着火电压和维持电压可分别降低9.4%和8.6%。4、研究了铝掺杂氧化镁介质层PDP的放电延迟时间。不同铝掺杂量的铝掺杂氧化镁介质层PDP的放电延迟时间,均少于具有纯氧化镁介质层的PDP,延迟时间的减少值在几十纳秒到150纳秒之间,且随着铝掺杂量的增加,放电延迟时间缩短,随着放电气体中Xe比例的增加,放电延迟时间也缩短。5、设计和制作了两种PDP放电测试用驱动电源。一种是利用一个MOSFET作为开关管,开关频率为50kHz、脉冲占空比为50%、脉冲幅度0~800V可调的单向脉冲电源;另一种是采用全桥驱动方式,开关频率为50kHz、脉冲占空比为50%、脉冲幅度0~1000V可调的双向脉冲电源,这些电源的性能稳定可靠,保证了PDP放电实验工作的顺利进行。关键词:等离子显示器(PDP),介质保护层,铝掺杂氧化镁,PDP驱动电源ABSTRACTABSTRACTAsaresultofplasmadisplaypanels(PDPs)hasexcellentcolor,largesize,wideviewingangle,highbrightness,fastresponsespeedandhighdefinitionandotheradvantages,PDPsstandoutfromlotsofflat-paneldisplaysandbecomeoneofthebestdisplayterminals.ButthedisadvantagesofPDPthathighenergyconsumingandhighcostlimitthedevelopmentofPDP.ToimprovetheperformanceofMgOlayerisoneimportantmethodtoimprovetheperformanceofPDP,whichincludedopingotherelementsintoMgOorusingnewmaterialstoreplacetheMgO.Accordingtothelastresearchresults,inthisarticle,dopingAlintoconventionalMgOisproposedtoimprovetheperformanceofMgOlayer.Thisworkmainlyincludesthefollowingaspets:Cubic-shapedAl-

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