pld方法制备zno薄膜及其结构和光学性能研究-preparation of zno thin films by pld method and its structure and optical properties.docxVIP

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pld方法制备zno薄膜及其结构和光学性能研究-preparation of zno thin films by pld method and its structure and optical properties

大连理工大学硕士学位论文摘要氧化铮(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)lI-VI族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能C60meV),理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射。同时,Zno还是优质的压电、气敏及光电材料。Zno薄膜的制作方法很多,传统方法有:磁控制才(m咿础。uspu时ng)、化学气相沉积(CVD)、溶胶凝胶法(sog-gel)、喷雾热解法(spaypyrolysis)、热氧化法(thermaloxidation)、分子束外延CMBE)等,新的生长技术如脉冲激光沉积(PLD)、金属有机物化学气相沉积CMOCVD)、原子层外延生长法CALE)、激光分子束外延(L-?v1BE)等也开始广泛应用。由于Zno在结构、能带、电学和光学方面的诸多优点,加上Zno薄膜的制作方法多种多样,可以适应不同的应用需求,Zno在器件应用方面具有广阔的应用范围,潜力很大,前景极好。它可以被用来制作透明电极、压敏电阻、太阳能电池窗口、表面声波器件、气体传感器、发光二极管等。在短波区域,Zno可用于制造紫外发光器件和紫外激光器,对于提高光记录密度及光信息的存取速度起着非常重要的作用。激光脉冲沉积是近年来发展起来的先进的薄膜生长技术,它是在高真空背景下用高能激光烧蚀ZnO靶材生成蒸发物淀积在加热衬底上生长晶体薄膜的,本文用脉冲激光沉积方法按照温度、频率、氧压等不同生长条件生长了Zno薄膜。用阳iEED、双D、PL、SEM、AFM以及台阶仪和电子探针等测试手段进行了表征。根据对Zno薄膜的结构和发光特性的研究,找到了生长薄膜的优化条件,得到了高度c-轴((归。2)取向的质量较高的Zno薄膜。关键词:ZnO耀膜;脉冲激光沉积;荧光光谱PLD方法制备Zno薄膜及其结构和光学性能分析AnalysisofstructuralandopticalpropertiesofZnOthinfilmsbyPLDAbstractZnoisasemiconductorma阳ialwithwidedirectbandgapof3.37eVandalargeexcitonbindingenergyof6臼neVatroom阳nperature.Theoretically,让canrealizestimu1atedUVemissionatRT.Znoisalsoanascendantpiezoelectric,gassensitiveandopωelectronicmateria1.Therearemanygrowthml蚀。也forZnofilmssuchasmagnetronspu阳也g,chemicalvapordeposition,sog-gel,spaypyrolysis,也ermal0沮dationandmoll町ularb锦mepitaxy.Recently,newgrow也methodssuchasp时sedlaserdφosition,metalorganicchen让ωlv叩ordeposition,atomic1ayerepitaxyand1也配mol,优ua1rbeamepitaxyhavebeenwidelyused.BecauseZnohas80manyadvantagesinstructureandpropertyandhasmanygroW也me也ods,itcansuitmanydifferentd钮nandsin∞mponentprep缸ation.Znoc也beus创臼fabricatetransp缸臼lCyelectrode,piezoresistor,cellbatt町window,su?acea∞tUsticwavede悦ce,gassensorandligbt-en让国ngdiodeetc..Inshortwaveregion,Znocanbeusedω臼briωt创uvlightemitti鸣andlNl凶町de说.ces,andwhichisveryimpo:抗antforimprovementofmem创ydensity槌dopticalinfonnationaccessspe创.Pulsedlaserd叩ositionisanewlydevelopedfilmgrow也techníque.1n也istechnique,highdensitylaserablates也.etargetand严。duωZnoplumedeposi也19onheat创substrateinhighvacumnbackground.InthisP8:阳Znofilmswerepr叩l缸edatvarioust回lpera阳邸,laser企吨umci臼and侃ygen严邸山es.刀lefi.lmswereexaminedbyRHEED,

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