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6.730 实际” 半导体项目 GaAs 第1部分 Janice Lee Juan Montoya Bhuwan Singh Corina Tanasa Friday, March 09, 2001 1．什么是晶体结构 (1) 晶体是一个立方的闪锌矿或是铅锌矿结构，由一个 面心立方格子和一个基元所组成。常规的基元由一个处在原点的GaAs分子构成。基 元是由一个矢量从（000 ）处的原子指向（ , , ）处的另一个原子所构成。这个晶 体同样可以被看成是两个FCC格子套构而成的,一个是Ga另一个是As,偏移量是一个基 矢。晶体结构由图1表示。Ga原子由黑点表示，As原子由红点表示。图中示出14个Ga 原子，4个As原子。然而，由于8个晶胞共享每个边角的原子，2个晶胞共享面上的原 子，因此，每个立方单元是4个As原子和4个Ga原子，也就是4个分子。 Figu re 1. F CC cubi c unit cell of GaA s 1. 什么是晶格常数？ 在300k，晶格常数，也就是每一个立方格子的边长，是A=5.6325埃 2.什么是基元？如前所说，基元由一个Ga原子和一个As原子构成，GaAs 的基矢 xˆ , yˆ, zˆ是笛卡 单位矢量，图2是立方单元，同时有一个GaAs 的特写。 (3) (4) 图2 GaAs 晶格的基元放大图 3 什么是原始晶格矢量? 既然晶格为面心立方, 原始晶格矢量为 o 两个基矢之间的夹角是60 ，它们一起组成一个菱面体，其边长是a 。先前曾经说每个 立方晶胞有4个分子，4个元胞组成一个晶胞，于是一个元胞就只有一个分子。其体积 是每个立方晶胞的1/4 ，更精确的计算也证明是对的 基本点阵 基本点阵 3. 有格点和无格点的基本点阵 4.倒易点阵的结构是怎样的？ 6什么是倒易点阵的基矢？ 从上面的基矢的定义，倒易点阵基矢这样计算： 下面是倒易点阵的基矢： 这是bcc点阵的倒易点阵的基矢。如果是体心点阵的倒易点阵的基矢，用同样的方法 计算。 倒易点阵的结构可以用Wigner-Seitz元胞来描述，Wigner-Seitz元胞通过下面的方法得 出。考虑所有的这样形式的基矢，它们都是倒易点阵基矢。在8个基矢的中点做8个平面， 用这种方法的得到的最小的封闭体是一个八面体。由此形成的八面体的顶角部分又被另 6个倒格矢的中垂线构成的面所切，这些面构成一个立方体，Wigner-Seitz元胞就是截角 的八面体。通常也被叫做布里渊区。 截角八面体的表面有6个正方面，8个六角面表明第一布里渊区，有极 强的点对称性。 7你的材料的原子波函数是怎样的？ 原子波函数是被规格化的晶格散射的电子波的振幅，原子波函数f是这样计算的： N是电子密度，是散射角度。很明 Ga和As 的原子波函数有不同的值，如表 Ga原子和As原子的波函数差不多是相等的，这种现象可以这样解释，GaAs 中Ga离 子和 As离子的电子Z值相同 1 晶体[100], [ 110], 和 [111 ]面的图示