负光阻留下光阻.pptVIP

微影技術流程 第1页/共13页 光阻製程 ◆ 光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機溶劑中，利用旋轉塗佈將基板塗上一層光阻。 ◆ 光阻可分為負光阻和正光阻兩種，但由於解析度的關係，目前以正光阻為主流。 ◆ 負光阻是曝光的部位經聚合硬化後，將未曝光的部位溶解，得到曝光部位的顯像。 ◆ 正光阻利用不同的顯像液，改變可溶性的構造，選擇將曝光的部分溶解或聚合，顯像留下未曝光的部分。 ◆ 如圖為正光阻和負光阻的定義。 第2页/共13页 負光阻和正光阻的比較 第3页/共13页 負光阻和正光阻的比較 ◆ 欲形成相同的底膜圖案時，負光阻和正光阻使用黑白相反圖案的光罩。 ◆ 負光阻留下的光阻圖案 (曝光部分)，受到顯像液的影響而膨脹，導致解析度降低。 ◆ 正光阻有穩定性、黏著性、使用不便等問題。但因具有高解析度，而選擇使用正光阻。因為光阻顯像時，對曝光和未曝光部分的溶解度差 (對比)，必須非常敏銳。 ◆ 負光阻是含有具感光特性的化合物和環化橡膠類樹脂的有機溶劑，經光線照射後產生架橋反應，經重合、硬化，利用顯影劑形成不溶性鹼。也就是說，可利用曝光部分和未曝光部分產生溶解度的差異，進行圖案的顯像。 ◆ 正光阻則是含有感光性材料和酚類樹脂的有機溶劑，為不溶性鹼。但經過光的照射，則成為可溶性鹼，因此可使用鹼溶劑進行圖案的顯像。 第4页/共13页 負光阻和正光阻的比較 參　數 負光阻 正光阻 化學穩定性 穩定 稍不穩定 靈敏度 較高 較低 解析度 稍低 高 顯像容許度 大 小 氧的影響 大 小 塗佈膜的厚度 因解析度無法加厚 可加厚塗佈 階梯式覆蓋率 不佳 良好 去除光阻 ( 圖案形成後 ) 稍困難 容易 耐濕式蝕刻性 良好 不佳 耐乾式蝕刻性 稍差 良好 與SiO2的黏著性 良好 不佳 機械強度 強 弱 第5页/共13页 微影製程詳細流程 第6页/共13页 圖案曝光製程 ◆ 步進機為了進行縮小投影，具有光學透鏡系統和照明系統(光源) 。為了進行step and repeat，需要有精密驅動的X-Y晶圓移動台。 ◆ 步進機的性能，主要受到縮小投影透鏡的性能，調準夾 對準位置的精確度，以及X-Y移動台的精確度等影響。隨著年年技術的提升，解析度也持續改良。 ◆ 由於縮小投影透鏡與光源的進步，提升解析度的手法有兩種：提升透鏡口徑(NA：numerical aperture) ，及光源的短波長化。 ◆ 0.15μm的圖案，可使用KrF光源(249 nm)；小於0.10 μm的話，則使用更短波長的(157 nm)等。 ◆ 隨著NA增大、光源的短波長化，將產生聚焦深度(DOF； Depth of Focus) 的問題。 第7页/共13页 聚焦深度探討 ◆ 如果超過聚焦深度，對凹凸不平的表面進行曝光時，將無法得到預期的解析度。 ◆ 由於提高解析度，DOF會變淺，故必須避免表面的凹凸，如果能保持表面平坦進行曝光，就可以得到預期的高解析度。為此提出一個有效的解決方法：多層光阻技術。 ◆ 不管底膜是否凹凸不平，只要使光阻表面平坦，在上面的薄膜(或是其他種類的光阻膜)完成高解析度的圖案後，利用RIE(反應性離子蝕刻) 對下層光阻厚膜進行異向性蝕刻。如此一來，就可以形成與底膜無關的高解析度光阻圖案。這就是多層光阻製程的概念。 第8页/共13页 步進機解析度、NA、波長、聚焦深度關係 第9页/共13页 提高解析度的多層光阻製程 第10页/共13页 曝光裝置 ◆ 曝光裝置分為接觸曝光方式和近接曝光方式。 ◆ 不需進行縮小投影，直接利用掃瞄形成縮小投影圖案，稱為掃瞄的方式。不但可減少變形，並可形成場面積大的圖案。 ◆ 為了提高圖案的解析度，利用相位差光罩 (PSM: Phase Shift Mask) 圖案的方式。 第11页/共13页 圖案曝光裝置分類 第12页/共13页 今後的展望 ◆ 以光進行曝光的技術還是有極限，今後將朝X光或電子束的曝光技術前進。 ◆ 在微影技術I的範圍內，今後隨著尺寸的細微化，光源的選擇與光阻的開發，將成為重要的關鍵。 ◆ 為了解決提升解析度，造成聚焦深度(DOF)變淺的問題，利用CMP(化學機器研磨)將全面平坦化技術導入製程中，可獲得很好的改善。 ◆ 從1970年代開始，一直在討論光阻製程乾式化的可能性。 ◆ 光阻的塗佈和顯像雖然還是濕式製程，但目前相關的技術革新都朝乾式製程進行。 第13页/共13页