pzt-pms-pzn四元系压电陶瓷材料的制备与电性能研讨.pdfVIP

PZ％PMS．PZN四元系压电陶瓷材料的制备与电性能研究 李慧 摘要 本文根据大功率多层压电陶瓷变压器对压电陶瓷材料的使用要求，即在较 低的烧结温度下具有高的机械品质因数(h，高的机电耦合系数岛，高的压电常数 d及谐振内阻，，从陶瓷粉体的制备技术、材料的组分设计、 如和低的介质损耗tan f缩写为PZT-PMS—PZN)四元系压电陶瓷材料。 采用新制备技术一熔盐法成功地制备了PZT-PMS—PZN四元系压电陶瓷材料。 通过对PZT-PMS．PZN体系陶瓷粉体的XRD衍射图分析，发现熔盐法使粉体的预 烧温度从800。C降低到750。C。通过对陶瓷粉体的SEM形貌观察，发现粉体的形 貌得到了改善，提高了粉体的活性。通过研究熔盐法制各的陶瓷密度和电性能， 表明熔盐法降低了陶瓷的烧结温度j提高了陶瓷的电性能，并通过XRD技术分析 不同温度下预烧的粉体的相组成，提出了熔盐法制备陶瓷粉体的固相反应机理。 元系压电陶瓷相结构、显微组织和电性能的影响。结果表明：随着PZN含量的增 tool 加，体系的相结构从菱方相过渡到四方相，其准同型相界处于PZN含量为0．02 到0．07 mol之间。随着PZN含量的增加，陶瓷的晶粒生长受到抑制，陶瓷的(Im 逐渐减小，％先增加后降低，d33大幅度地增加，tand和r均先减小后增加。当PZN 含量为0．05 0--0．0044，r=1．576 pC／N，tan n，从而筛选出综合性能较优的四元系压电陶瓷基础 配方。 为了进一步提高材料的综合电性能，尤其是进～步提高材料的gk，我们采用 含量对该陶瓷显微结构和电性能的影响，结果表明：在Mn02含量变化范围内，陶 瓷相结构均以(200)R菱方相结构为主。随着过量Mn02量的增加，陶瓷的晶粒长大， Qk和tanJ先升高后降低，珞和以3均下降，而r整体呈现上升趋势。当Mn02过 量O．2吼．％于1150。C下烧结的陶瓷样品具有较好的综合电性能。其次，系统研究 了W03含量对陶瓷显微结构和电性能的影响，结果表明：在W03含量变化范围内， d先降低后增加，， 尺寸减小，陶瓷的()m缓慢增加，％和如3先增加后降低，tan 则一直降低。当W03含量为0,6wt．％时，于1150℃下烧结的陶瓷具有优良的综 合电性能。 wt．％时，在l150。C下烧结， 当Mn02掺杂量为O．2wt．％，W03掺杂量为0．6 6=0．0050，r=2．49Q，该材料对于大功率压电陶瓷变压器的应用具有很 pC／N，tan 大的潜力。 量钯内电极浆料相匹配，采用ZnO为助烧剂，详细地研究了ZnO含量对四元系 PZT-PMS．pZN压电陶瓷相结构、显微组织的影响及对陶瓷烧结性能和压电性能的 改善。结果表明：随着ZnO含量的增加，体系的相结构从菱方相转变为四方相， 陶瓷晶粒逐渐长大，陶瓷的Qk先增加后降低，局和幽均呈上升趋势，r先降低 后增加，tand开始迅速下降，随后保持不变。当ZnO的含量为0．1wt．％时，陶瓷 的综合电性能最优，尤其击3提高到300 pC／N。通过研究烧结温度对添加ZnO的 陶瓷微观形貌和电性能的影响，发现O．1wt．％ZnO的加入可使陶瓷的烧结温度从 d31=300 6=0．0063，r=1．97Q，该体系有望成为大功率多层压电陶瓷变压 pC／N，tan 器用的候选材料。 关键词：多层压电陶瓷变压器熔盐法掺杂低温烧结压电性能 andelectrical ofPZT-PMS—PZN Preparation properties ceramics quatemarypiezoelectric HuiLi AbstractInorderto