非水体系电沉积纳米zn-sb、bi-in合金膜的研讨.pdfVIP

非水体系电沉积纳米Zn．Sb、Bi．In合金膜的研究 摘 要 半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基 础材料。目前，尽管采用物理方法制各高性能低维半导体材料的技术不断的完善， 但仍存在设备成本高、工艺技术复杂等困难。而电沉积制备半导体的方法则可以 大大降低成本。纳米材料与传统材料相比有着一系列优良的性能，它已作为一类 先进材料而受到广泛关注。目前在非水体系中电沉积纳米半导体材料的研究尚在 KBr)中电沉积制备纳米半导体Zn．Sb合金、Bi．In合金。 利用循环伏安和计时电流法研究了298 Zn(1I)在Pt电极上还原的电化学行为：Sb(IlI)、Zn(1a)均为一步小可逆还原为金 属Sb、Zn。测定了两种离子在铂电极上还原的传递系数仅分别为：O．13、O．32； cmLS～。 Sb011)的扩散系数D=I．19×10’6cm2s～，Zn(II)的扩教系数D=I．O×10。7 数a分别为：0．32、O．57：Sb(IlI)的扩散系数D=3．21×10‘6cm2．s一，Zn(1I)的扩散 系数D=6．9×lO‘8 cm2．S～。 298 显示sb膜是纳米颗粒状构成，其粒度为10nm。Zn膜具有纳米孔洞结构。电沉 积zn．sb合金膜，研究了溶液的组成和电位对合金膜的影响。用EDAX分析了 K和l123K下对zn～sb 合金膜的组成，SEM显示合金膜为纳米结构。在1023 沉积膜进行热处理，得到了纳米线，能谱分析表明其组成为主要为zn，纳米线 的齑径在20nm～150nm间。研究了热处理条件对纳米线生长的影响。 谯343K尿豢～己蕺胺一N＆Br—KBr熔传中，恒电位沉积Sb、飘、Bi、ln 单金耩，得至《的沉积层均为缡米膜，且纳米颗粒粒径小。在体系中沉积Zn—Sb 合垒和Bi．In合金，所得沉积膜均为纳米膜。研究了溶液的组成和电位对台金膜 的影响。 关键词：非水体系，电沉积，半导体合金膜，Zn-Sb，Bl-ln，纳米材料 ll The ofnano-sizeofZn—SbandBi—In electrodeposition filmsfrom alloy nonaqueoussystems Chemistry Major：Physical Student：GnoXin．ai Peng Supervisor：Assoc．Prof．Liu Semiconductormaterialsisthe basematerialsof important transistors，integrate the offunctional circuits，photoelectronequipments，etc．Sofar,althoughpreparation low—dimentional materials methodsis semiconductingbyusingph)7sical are and electrochemical contraries，the well—developed，theycomplicatedcostly．By