贵金属和半导体纳米材料的化学合成研讨.pdfVIP

十口率}掌n$^掌*±掌t*R擅l 摘要 本论文旨在完善和发展贵会属和半导体纳米材料化学合成的新方法。在大量 的文献调研基础之上，作者创造性地提出了几种纳米材料合成新的路线：如氮化 铟的低温原位苯热转化合成法，瑞尼镍模板法合成贵：{；；=属和硫族化合物树枝晶 等。与此同时，作者还在低温水热条件下成功合成了CuInS2纳米棒，并将溶剂 热路线推广到四元cuIn(s气sl。)2固溶体纳米晶的合成。主要内容具体归纳如下： 1．在总结前人的工作基础之上，导师谢毅教授成功地将溶液方法进一步推 地制备了GaN纳米晶。不过遗憾的是，却没能将这一方法通过类似的lnCb和 Li3N反应制得InN纳米晶，这一结果也得到了别的研究小组的证实。正是这不 同的结果促使作者对这一反应本质进行分析，认为之所以生成单质铟和～价卤化 物而没有InN的形成，其主要的原因是由于三价卤化物具有较强的氧化性，遇到 了强还原剂则被还原而没有发生双交换反应，而对于Ga卤化物来说，氧化还原 反应就不那么明显，则会发生双交换反应形成GaN。正是在这一分析基础上， 作者提出了原位苯热转化合成法来制备纳米InN。本法的独特之处在于通过选择 了两种新颖的反应源NaNH2和In2s3并通过它们之问简单的化学反应在苯热体系 中直接制备出了IrlN纳米晶，基本上达到了我们合成m—V族半导体材料的要求： 选用简单、廉价、易得的反应原料，反应步骤少，并且避免了有毒的气体，无需 后处理等优点。 2．在总结模板法的共性基础之上，作者大胆地首次应用一种多孔材料—— 晶，其中瑞尼镍在整个过程中既作模板又作还原剂。本路线具有模板易得，反应 稿人的高度评价，认为这个想法非常新颖，同时几乎是以原稿的形式在《AdvaJlced Materials》上发表。 3．将液态铟作为反应物在水热条件下成功地制备了CuInS2纳米棒，其生长 机理类似于华盛顿大学Bllllro教授提出的sLs机理。将溶剂热路线推广到四元 cuIn(s％sl。)2固溶体纳米晶的合成，研究了不同溶剂条件对固溶体形成的影响， 发现乙二胺为该反应的最优溶剂，并对固溶体的形成机理进行了探讨。 巾髯料掌执术太掌博常掌位论文 ABSTRACT A鼗S量RACT is of氆isdisse挂壤{onto novel T№pal exple∞8瓣st诞y synl蠡嚣tle蝴氆ods醒 n赫。s髭le m8te}i8王s。f胎blemet拽ls期d sem{cond黼静璐a旺撒8ke妇m pe蕊文．。斡 theb豁主s h耩ve of氇o∞u酶∞V{阜wofl氇}ge锄。搬ls。f羚凫fenees，we sHccess＆ilyput 凡瑚a堪seVer毪}noVelm鞋testo{be of n鑫nosc鑫|e ma撇{als．For prep锺精tion example， if卜si谯l ＆nzene—theml毳leon、博rsion routetonanoscale indiumnitrideatlow