《新概念物理学》电磁学 第二章 恒磁场 5 磁场对载流导线的作用.ppt

地磁场——天然的磁镜捕集器 范.阿伦辐射带——由地磁场所俘获的带电粒子（绝大部分为质子核电子）组成 霍耳效应 p133/p150 经典霍耳效应 1879年德国物理学家Hall发现的 量子Hall效应 1980年，德国物理学家冯.克利青（Von Klitzing）发现 分数量子Hall效应 1982年，普林斯顿大学的美籍华裔教授崔琦和Stoemer 发现 经典霍耳效应 原理：带电粒子在磁场中运动 样品：导体或半导体长方形样品 载流子：带正电如图a 载流子：带负电如图b 实验表明： Hall系数 E? E? Hall系数 带电粒子受力平衡时 K取决于载流子浓度和带电的正、负，可正、可负， Ha11电阻RH 若载流子——电子 K应为负值,UAA’也应为负值 引入正值Ha11电阻RH RH—Vg实验曲线 实验上对于给定的磁场B，通过对电路中栅压Vg的调节来控制电流I，同时测出Hall电阻RH，由此可以得出RH—Vg实验曲线． RH—Vg的理论曲线如图中的虚线所示，一般情况下，实验曲线与理论曲线符合得比较好． 霍尔效应的应用 霍耳系数K与导体中的载流子浓度n成反比 金属导体的载流子浓度n 大——K和UH 小 半导体的载流子浓度 n 小——K和UH 大 判定半导体的导电类型 、测定载流子浓度 利用半导体材料制成霍耳元件得到广泛的应用 霍耳元件具有结构简单而牢靠、使用方便、成本低廉等优点，所以它在实际中将得到越来越普遍的应用。 测量磁场（恒定、非恒定） 测量直流或交流电路中的电流强度和功率 转换信号，如把直流电流转换成交流电流并对它进行调制；放大直流或交流信号等 量子Hall效应 二维电子系统 从50年代起，由于晶体管工业的兴盛，半导体表面研究成了热门课题，半导体物理学中兴起了一个崭新领域——二维电子系统。 1957年，施里弗(J．R．schrieffer)提出反型层理论，认为如果与半导体表面垂直的电场足够强，就可以在表面附近出现与体内导电类型相反的反型层。 由于反型层中的电子被限制在很窄的势阱里，与表面垂直的电子运动状态应是量子化的，形成一系列独立能级，而与表面平行的电子运动不受拘束。这就是所谓的二维电子系统。当处于低温状态时，垂直方向的能态取最低值——基态。（引起物理学家的浓厚兴趣） 量子霍耳效应的发现 1980年，德国物理学家冯.克利青（Von Klitzing）等人在低温强磁场条件下测量一批半导体样品(二维电子系统)的Hall电阻RH时发现RH—Vg曲线有一系列平台，这些平台所对应的RH取决于Planck常量h和电子电量的绝对值e Hall电阻的这些平台值与样品性质无关 量子霍耳效应是继1962年发现的约瑟夫森效应之后又一个对基本物理常数有重大意义的固体量子效应 冯·克利青最终用超导线圈试验，使霍尔电阻精度达到了5?10－6 他写了一篇通讯给《物理评论快报》，题为“基于基本常数实现电阻基准” 被认为精确度不够，因为精确测量欧姆值需要更高的精确度 冯·克利青转向精细结构常数，将论文改写为“基于量子霍耳电阻高精度测定精细结构常数的新方法”，量子霍耳效应第一次公开宣布，得到了强烈反响 冯·克利青自己曾说过：量子霍耳效应的真谛并不在于发现霍耳电阻曲线上有平台，这种平台在我的硕士生爱伯特1978年硕士论文时已发现，只是那时我们不了解平台产生的原因，也没有给出理论解释。我们那时只认为材料中的缺陷严重地影响了霍耳效应。这些结果已经公开发表，大家也都知道，并且大家都能重复。 量子霍耳效应的根本发现是这些平台高度是精确地固定的，它们是不以材料、器件的尺寸而转移的，它们只是由基本物理常数h和e来确定的。 意义 量子Hall效应的发现，再次显示出在固体中电子运动的量子效应在低温条件下有更明显的表现 通过量子Hall效应的实验还能够精确地测定普适常量 h/e2这一常量也可以用来作为电阻标准 获1985年诺贝尔奖 分数量子Hall效应 1982年，普林斯顿大学的美籍华裔教授崔琦和Stoemer在研究极低温度(0.lK左右)和超强磁场(B大于10T)条件下二维电子气的Hall效应时，发现Hall电阻随磁场B的变化出现了新的台阶，这些新台阶的高度可表为 某些分母为奇数的分数 1998年诺贝尔奖 * * 北京大学物理学院王稼军编 北京大学物理学院 磁力 p145/159 2-24、29、34 2-41、43、45、50 安培力 叠加原理 计算各种载流回路在外磁场作用下所受的力 平行无限长直导线间的相互作用 电流强度的单位“安培”的定义 一恒定电流，若保持在处于真空中相距1m的两无限长、而