化合物半导体材料及器件基础.ppt

化合物半导体器件 Dai Xian-ying 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2013.8 Dai Xian-ying 第二章 化合物半导体材料 与器件基础 半导体材料的分类 化合物半导体材料的基本特性 Dai Xian-ying 2.1 半导体材料的分类 2.1 半导体的分类 绝缘体（1018-1010Ωcm），半导体（108-10-3Ωcm），金属（10-4-10-8Ωcm） 绝缘体（禁带宽度Eg大），半导体（禁带宽度Eg小），金属（导带与价带重叠） Dai Xian-ying 2.1 半导体材料的分类 2.1 半导体的分类 2.1.1 半导体的特征 室温下的电导率在103-10-8S/cm（或电阻率10-3～108Ωcm） 电导率呈正温度特性（金属呈负温度特性） 两种载流子参与导电（金属只有一种） Dai Xian-ying 2.1 半导体材料的分类 2.1 半导体的分类 2.1.2 半导体的特性 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度