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1. 非平衡载流子 光注入 电注入 热平衡时，载流子的产生和复合保持着动态平衡，而当非平衡条件加入到系统后，会平衡这种动态平衡，产生非平衡过剩载流子 2. 非平衡载流子的电中性条件 非平衡载流子浓度 非平衡载流子的电中性条件 3. 非平衡载流子小注入条件 小注入条件 非平衡少数载流子 在小注入条件下，半导体中少数载流子的非平衡载流子对半导体的导电特性产生显著影响，因此，半导体物理主要研究讨论小注入下的非平衡少数载流子 半导体物理中主要研究的是小注入情形，其条件为 或 § 4.4 非平衡载流子 4.4.2 非平衡载流子的复合 当产生非平衡过剩载流子的外界影响撤除后，系统将逐渐从非平衡态向平衡态恢复，非平衡过剩载流子将消失。 非平衡过剩载流子消失的过程称为改善载流子的复合。 载流子的复合和产生是一个动态的微观过程，在平衡态时，载流子的产生和复合达到动态平衡 非平衡过剩载流子的复合是载流子复合超过载流子产生的一个净复合过程，是一个宏观现象 § 4.4 非平衡载流子 4.4.2 非平衡载流子的符合 1. 非平衡载流子的寿命 引起产生的外界因素撤除后，非平衡载流子特征时间即其平均生存时间称为非平衡载流子的寿命。 小注入情形下，非平衡载流子的复合可看成是一个驰豫过程；非平衡载流子的复合过程满足： 其中： 是 t=0 时的浓度， 是非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的复合率为： 或 1. 非平衡载流子的寿命(life time) 光电导的衰变－非平衡载流子寿命测量方法之一 光照产生非平衡载流子 和 使得电导增加 光照撤除后，光电导衰减 2. 非平衡载流子的扩散 如果在表面注入非平衡载流子，则在体内会存在非平衡载流子浓度梯度，发生由表面向体内的扩散。例：光照N型Si表面，将产生非平衡载流子，少子为空穴，其浓度为?p 光电导的衰变(decay)－非平衡载流子寿命测量方法之一 2. 非平衡载流子的扩散 ?p 满足扩散方程： 稳定情形，由于扩散引起的单位时间、单位体积积累的空穴数等于单位时间、单位体积由于复合减少的空穴数，于是得到满足稳定扩散方程： 求解得通解： 2. 非平衡载流子的扩散 求解得通解： 扩散长度 * 第四节 半导体中载流子的输运 电子器件是通过载流子（电荷）的输运实现信息的处理、存储的，因此，了解载流子的输运规律是研究半导体器件性能的基础。上一章我们介绍半导体中载流子分布的基本规律，本章将以此为基础，讨论它们的输运及其遵循的规律。在Si半导体中，载流子的输运（Carrier transport）或电流机制 (mechanism) 有两种：其一是，载流子在电场作用下的漂移运动 (drift)；其二是，由于载流子在半导体中浓度的梯度变化引起的扩散运动 (diffusion)。 本章将研究和了解半导体中载流子的输运机制和规律及所满足的方程。 §4.1 载流子漂移运动和漂移电流 §4.2 载流子的扩散运动和扩散电流 §4.3 载流子迁移率 §4.4 非平衡情形的过剩载流子 §4.5 准费米能级 §4.6 半导体的基本物理方程 § 4.1 载流子的漂移运动和漂移电流 4.1.1 载流子的热运动（Thermal motion）和散射机制 半导体中载流子（电子和空穴）基本的运动形式包括：热运动和散射。半导体中导带中的电子或价带中的空穴将做随机的热运动，在热平衡条件下，按照统计物理规律，其热能 （Thermal Energy）～3/2kT，电子的动能满足： 其中，Vth～107 cm/sec. @300K 热平衡时，载流子的运动是完全随机的，因此，净电流为零。 其中在运动过程中，将遭遇各种散射机制的散射。 § 4.1 载流子的散射 1. 载流子散射的概念（注意与热运动中的散射的不同） 在理想周期势场作用下，载流子做自由运动，但任何破坏严格周期势场的因素都可以引起载流子的散射，正是由于散射的存在使得载流子在外场（电场）作用下的加速运动的最大速度（漂移速度）受到限制 半导体中载流子的散射机制 晶格散射或声子散射：晶格振动引起的散射 电离杂质散射：在高掺杂时重要 中性杂质散射：可忽略 电子－电子或电子－空穴散射：在高载流子浓度情形时重要 晶格缺陷散射：在多晶时重要 表面散射效应：在MOS器件中重要 § 4.1 载流子的散射 2. 半导体的主要散射机制 1）电离杂质散射 电离后的施主杂质带正电、受主杂质带负电，因此会在其周围产生库仑势场，从而对带电的载流子产生散射作用 § 4.1 载流子的散射 2. 半导体的主要散射机制 2）晶格散射 起源于晶格振动引起的散射，包括声学波散射和光学波散射，又称为声子散射 声学波的晶格原子沿相同方向运动 光学波的晶格原子沿相反方向运动