600碳化硅陶瓷粉末注射成形及其导电特性.docVIP

600碳化硅陶瓷粉末注射成形及其导电特性 　　摘 要：研究了碳化硅陶瓷的粉末注射成形工艺，分析了成形工艺及烧结助剂对其显微组织及力学性能的影响，探索了粉末注射成形碳化硅陶瓷的导电特性。以碳化硅为助剂的固相烧结温度为2100℃，脱脂坯烧结后具有最高的真实密度（3.12g/cm3），相对密度达97.5%，烧结后试样由固相碳化硅组成，XRD及TEM能谱分析表明试样内部无残余氧化硅，制品晶粒平均尺寸小于1μm，室温弯曲强度达345MPa。采用直流电流电压测试方法，测定了粉末注射成形方法制得的SiC陶瓷在室温至800℃范围内的直流电导率。 　　关键词：粉末注射成形；碳化硅；电导率 　　中图分类号：TF124 文献标识码：A 　　 　　碳化硅陶瓷（SiC）具有耐磨、耐腐蚀、耐热震、高强度、高热导等优异的性能，在微电子工业、石油工业、化学工业、核工业等领域具有广泛的用途。碳化硅有100多种结晶类型,各种碳化硅晶体的单位晶胞均由相同硅碳四面体构成。构成每个单位晶胞的固体的层数及各层的相对位置不同,就形成了不同类型的碳化硅。碳化硅是一种优良的半导体材料，并且具有良好的非线性导电特性。这一特性使得碳化硅在防电晕等方面有重要应用。另外，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用。 　　然而其难加工性阻碍了该材料在许多