发射发光材料作业与总结PPT.ppt

2．提高荧光屏稳定性的途径 材料晶格结构，粉末的分散性、合成温度、基质、助溶剂和原料的纯度都直接影响稳定性。 制好的材料还必须对表面进一步处理，使其在表面形成各种保护膜。作保护膜的材料有Zn2P2O7? 、SiO2、TiO2、Al2O3或某些硅酸盐类等。 （1）在粉表面形成保护膜。例如磷酸盐或亚磷酸盐表面膜，对提高杂质稳定性有利，特别可以提高抗Cu、Ni的污染敏感性。 （2）低温热处理。 （3）在发光材料的配料中加入Si、Ge、Sn、As、Sb、Bi或P的化合物，可以增加抗疲劳和灼烧的能力。 （4）去除灼烧后材料的多余化合物。 对灼烧后的发光粉，可采用以下措施提高稳定性： 4.2.2 粉末电致发光材料 把发光粉混在电介质里，并夹在两个平板电极之间，加上电流，发光粉就会发光。 两个电极中至少有一个是透明的，常为导电玻璃，以它为基极；在玻璃的导电层上形成一层TiO2的反光耐压层，在发光层之后再镀上金属膜，为第二电极。 由基极和第二个极分别引出导线，随后图上防潮树脂，加盖防潮玻璃，就制成了电致发光屏。 粉末交流电致发光基质材料中使用最多的是ZnS、ZnSe、CdS以及它们的固溶体，ZnS、ZnSe、CdS的禁带宽度分别为3.7eV，2.6eV，2.5eV。 在基质中可掺杂多种激活剂杂质，如Cu、Ag、Au和Mn等金属元素，形成不同的发光中心，可以得到不同颜色和波长的光。 ZnS、ZnSe、CdS按照一定比例混合，通过改变禁带宽度，可以得到黄色、橙红材料。 粉末直流电致发光常用的基质材料有ZnS、CaS、SrS 等。 1.薄膜型交流ELD(ACTFELD) (1) 薄膜型交流ELD基本结构 在玻璃基板上依次沉积透明电极(ITO)，第一绝缘层，发光层，第二绝缘层，背光电极(Al)等。发光层厚0.5-1μm，绝缘层厚0.3-0.5μm，全膜厚只有2μm左右。 4.2.2薄膜型ELD的结构和原理 a：塑料外壳 b：外封胶体（树脂） c：金线 d：芯片（PN结） e：封装支架 LED结构 将LED芯片置于导体框架上，连接引线之后，用透明树脂封装，做成显示灯。 LED的缺点: LED单个元件功耗为数毫瓦到数十毫瓦，虽比白炽灯小得多，但制成高精细的大面积显示板时，特别在与集成电路做为一体时，元件功耗的增大就不容忽视了，这时散热也是不容易解决的问题。 1、LED结构简单、稳定（无灯丝，无玻璃外壳) ,便于生产、运输、使用 2、LED体积小——便于各种布置和设计 3、LED光线集中——光的纯度高 4、LED发光指向性强——亮度衰减比传统光源低50% 5、LED响应时间短——在微秒级别 6、LED元件寿命长——为5万-10万小时 7、LED更环保——无“汞”生产 8、LED可低压直流驱动——对使用环境要求较低 LED的优点: 当在P-N结上施加顺向电压（即P型接正，N型接负），会使能垒降低，从而使穿越能垒的电子向P型区扩散，使穿越能垒的空穴向N型区扩散的量增加。通常称此为少数载流子注入，注入的少数载流子与多数载流子发生复合从而放出光。随电压增加，达到一定值，电流急剧增加，光发射开始。电流开始增加时对应的电压相应于P-N结势垒的高度，称该电压为起始电压，起始电压随LED材料及元件的结构不同而不同，GaAs为1.0～1.2V，GaAIAs为1.5～1.7V，GaP为1.8V，SiC为2.5V等等。 2. PN结注入式电致发光机理 LED材料类型 化合物半导体 (Compound Semiconductor) 由周期表不同族元素形成的化合物 例如：II-VI, III-V及IV-IV族化合物 二元化合物：光电半导体产业应用最广泛的材料 例如：III族元素Al, Ga, In及V族元素N, P, As容易形成如GaN, GaAs, GaP, InP 等二元化合物 三元化合物：由三种元素形成之化合物 例如：AlGaAs (III,III,V)及GaAsP(III,V,V) 三族及五族总摩尔数比需为1:1 AlxGa1-xAs = x AlAs + (1-x) GaAs GaAsYP1-Y = Y GaP + (1-Y) GaAs 四元化合物：由四种元素形成的化合物 例如：AlGaInP(四元高亮度LED主要发光材料) Al1-X-YGaXInYP = (1-X-Y) AlP + X GaP+ YInP 白光LED的实现 第五章 有机电致发光材料与器件 邓青云发明的OLED以及Friend RH发明的第一个PLED的结构以及所用的发光有机物分别是什么？ 简述OLED的优点。 分别阐述OLED中载流子注入和传输的机制。 ITO薄膜作为OLED的阳极，对OLED有怎样的影响？工艺上对ITO薄膜需要