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清华大学半导体器件张莉期末考题 发信人: smallsheep (final examination), 信区: Pretest 标 题: 微电子器件2005.6.20【张莉】 发信站: 自由空间 (Mon Jun 20 10:27:10 2005), 站内 填空： 一，已知af，aR，和IES，求Ics=____（互易关系） 二.bjtA和bjtB。一个集电极是N－，一个集电极是N＋ 问： 哪个饱和压降大___， 那个early电压大___ 那个容易电流集边___. 哪个容易穿通电压大_____ 哪个容易击穿BVCBO.____, 三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响 简答： 1.β和ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic的减小而减小，在大电流段都随Ic的增大而减小。请解释原因 2.总结一下NN+结的作用。 大题： 1.对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp（－λx/WB)的分布，用moll－rose方法推出基区少子分布和渡越时间。 2.给了WB，WE，和其它一堆参数，求β，a,hef.... 求IB，Ic， 求π模型参数，gm，go，gu.. 3.画图，上升时间t0，t1’，t2’三点处的能带图，和少子分布图 总体来说很简单。好像很多人都很得意，ft！ 发信人: willow (我要我的自由), 信区: Pretest 标 题: 半导体器件-张莉 发信站: 自由空间 (Wed Jun 23 21:38:40 2004), 站内 A卷 1。以下那些是由热载流子效应引起的。。。 。。。6个选项，待补充。。。 2。何谓准静态近似 3。为了加快电路开关时间参数应如何选取 。。。参数，电容，fT,beita,待补充 4。CE律的参数变化， Vt,xSiO2,N,结深 按照参数的变化规律下列效应将如何变化 （1）掺杂浓度N引起：...5种效应，待补充。。。//sigh,我把N弄反了，5个空全错 （2）结深引起 。。。3种效应，待补充。。。 5? BJT高频pai电路，及各参数意义 简答，(1)Vbs增加，nMOS,pMOS 的Vt,gmb分别如何变化 (2)场区注入的杂质类型，作用，对小尺寸器件影响 一个MOS管，栅接漏接高电位，衬底接源接地给了4个Id~Vds ，Vfb,Na,求尽可能多的参数 已知载流子速度v(y)=u*dV(y)/d(y),推导Vds=Vdsat时的v(y),并作图 -- 发信人: wkgenius (我们都渴望一种温存~~), 信区: Pretest 标 题: 2003年春半导体器件试题 发信站: 自由空??? (2003年07月02日18:12:53 星期三), 站内信件 一. ------------- - ~ ~ 1.6ev ~ ~ ~-------------------- |1um | 酱紫的pn结导带底能带分布 问1：N还是P重掺杂，为何？ 问2：外加电压正抑或负，为何？ 问3：求低掺杂边掺杂浓度 问4：画场强分布，求最大场强，并画0偏时的场强分布 二. pnp正向放大区和反向放大加压的问题，两种情况下一些增益参数的变化，恩，题目 太长乐。 三.MOS和BJT饱和区的含义和机构 四.tox减小对mos管一些效应的影响及原因，有截止频率，亚阈值特性....(5个，其 他的三个记不清了，这个没仔细看，乱答得 :（） 五．MOS和BJT fT的产生机构（就是延迟项的含义） 六．求本征电流增益，注意Qb0=Gb*q就万事大吉了 七.给定基区分布，求基区传输延迟（理解了moll-ross方法就easy了） 八．关于MOS衬偏调制系数以及beta值等的运算，很简单 九．一些基本概念的简答，比较常规 十．可夹断型埋沟器件，Vgs=Vt，衬偏为０时的能带图 ************************** 贴出来供ddmm们参考吧，题目有点活，关键在于考察对基础知识的理解，平时作业