2016-2017年半导体器件物理复习纲要（总结).docVIP

半导体物理基础 能带： 1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？ 1-2试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。 1-4、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为： 和；m0为电子惯性质量，；a＝0.314nm，，，。 试求： ①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。 题解： 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、准粒子、荷正电：+q； 、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； 、EP=-En （能量方向相反）、mP*=-mn*。 空穴的意义： 引入空穴后，可以把价带中大量电子对电流 的贡献用少量空穴来描述，使问题简化。 1-4、①禁带宽度Eg 根据＝＋＝0；可求出对应导带能量极小值Emin的k值： kmin＝， 由题中EC式可得：Emin＝EC(K)|k=kmin=； 由题中EV式可看出，对应价带能量极大值Emax的k值为：kmax＝0； 并且Emin＝EV(k)|k=kmax＝；∴Eg＝Emin－Emax＝＝ ＝＝0.64eV ②导带底电子有效质量mn ；∴ ③价带顶电子有效质量m’ ，∴ 掺杂： 2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？ 2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？ 2-4、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 题解： 2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2-2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。 施主电离前不带电，电离后带正电。 2-3、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。受主电离前带不带电，电离后带负电。 2-4、当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。 利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。 载流子统计分布： 3-1、定性说明： 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高； 3-2、Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3，试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少？ 题解： 3-1、解： 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 3-2、解：在300K时，因为ND10ni，因此杂质全电离 n0=ND≈4.5×1016cm-3 答： 300K时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是4.5×1016cm-3和5.0×103cm-3。 ? 半导体的导电性 ? 4-1、何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 4-2、室温下Si本征载流子浓度为1.5×1010cm-3，电子和空穴的迁移率分别为1350cm2/s·v和500cm2/s·v。 (1)本征Si材料在室温下的电导率σi。 (2)Si原子密度为5×1022cm-3，掺入十万分之一的As后，设室温下杂质全部电离，计算掺杂半导体的电导率σ。设电子迁移率不受掺杂影响。 题解： 4-1、解：迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。 4-2、(1)由 (2)已知硅原子密度为5×1022cm-3，则掺入As的浓度为 因为杂质全部电离 所以 忽略空穴对电导率的贡献 掺杂半导体的电导率为 非平衡载流子： 5-1、何谓非平衡载流子？ 5-2、漂移运动和扩散运动有什么不同？ 5-3、间接复合效应与陷阱效应有何异同？ 5-4、假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×1016cm-3，试计算空穴的扩散电流密度。 题解： 5-1、解：