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氧化锌薄膜光电性能研究 　　[摘要] 采用溶胶—凝胶法在ITO导电玻璃衬底上制备氧化锌（ZnO）薄膜，研究其结构、光学透过率和电学性能。AFM测试结果表明，ZnO薄膜晶粒尺寸随退火温度的提高而增大。薄膜的光学透过率曲线显示，在大于400nm的波段，ZnO的透过率比较高，而其禁带宽度约为3.25ev。在相同的电压下，ZnO薄膜产生的电流大小随着退火温度的提高，先增强后减弱，在550℃时达到最大。 　　[关键词] 退火温度 ZnO薄膜 光学透过率 　　 　　ZnO材料是具有直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其晶体具有三种结构：立方闪锌矿结构(Zinc Blende)、六边纤锌矿结构(Wurtzite)以及比较罕见的八面体岩盐结构(Rock salt)。六边纤锌矿结构是自然界中稳定存在的ZnO晶体结构，其晶格常数a=0.324nm、c=0.519nm，室温下的禁带宽度约3.37eV。ZnO在室温下具有高达60meV的激子结合能，光增益系数300cm-1，能有效地工作于室温及更高的温度[1]。ZnO材料在光电显示、压电器件、气敏传感器、透明导电薄膜、光发射器件中均有广泛的应用，并且其来源广泛，环保无毒，价格低廉，可以大规模生产，是现今研究的热点材料。 　　ZnO材料的宽带隙和高激子结合能，使其在光电领域有独特的优势。首先，宽带隙使ZnO在可见光波段(400～800nm)有高达80%的