MOSFET设计技巧.docVIP

高精度MOSFET设计技巧 随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的需求并通常获得满意的结果。 　　现在，他们面临的要求根本背离被动响应或主动前摄的设计方法，这种方法本来应该让他们能够提供更大的电流、更高的效率和更小的占位面积以满足日 益增长的需求，从而应对分配给DC-DC转换器越来越小的体积资源所带来的挑战。为此，本文在此提出一种具有外科手术式精度的设计方法，来针对该市场的需 求设计MOSFET。这种根本的变革被证明是正当的，因为市场之大，足以证明所需要的花费是正当的，并且能够提供非常满足市场需求的解决方案。 图1：升压转换器。 　　MOSFET设计方法 　　同步升压转换器是个人电脑行业为DC-DC转换器所选择的拓扑结构，并且被广泛地用于电信其它市场。我们在本文中将仅仅考虑这种拓扑，但是同一方法也可能适用于其它的拓扑。我们将尝试根据两个因素推导计算最优化MOSFET裸片面积的方程。 　　1. 它在电路中的作用是功率开关MOSFET或同步整流器； 　　2. 与这种特殊的MOSFET相关的总的损耗。 　　选择总损耗作为确定因素的直接原因是业界需要更高的效率和更低的损耗。裸片面积经过最优化的MOSFET，