13原子的不规则排列b.pptxVIP

5）位错的萌生与增殖 A、晶体中位错的萌生1．液体金属凝固时形成位错 枝晶生长过程中受温度梯度、浓度梯度、机械振动和杂质影响而产生内应力，使枝晶发生偏转或弯曲，点阵错排。2．过饱和空位转化成位错3．局部应力集中形成位错 晶体内部的某些界面和微裂纹附近，由于应力作用使局部区域发生滑移，产生位错。空位聚合形成位错5）位错的萌生与增殖 B、晶体中位错的位错/增殖.swf增殖退火状态金属的位错密度为106~108/cm2。冷加工状态金属的位错密度为1010~1012/cm2，说明位错增殖。引用最多的位错增殖机制，为F-R源机制（弗兰克-瑞德源），如图→ b5）位错的萌生与增殖 B、晶体中位错的增殖螺型位错AB，位错线段两端固定，在外加切应力作用下变弯并向外扩张，当两端弯出来的线段相互靠近时，C、D两点分别为正、负刃型位错，抵消并形成一闭合位错环和环内一小段弯曲位错线，然后继续。已知使位错线弯曲至曲率半径为R时所需切应力τ为：5）位错的萌生与增殖 B、晶体中位错的增殖开始R→∞，故使位错弯曲的外加应力τ很小。当变为半园形时，R=1/2L最小，τ最大继续外弯时，R增大，τ减小。只有ττmax，位错才能不断向外扩张，源源不断产生位错环，起到增殖作用。还有一些机制，如B-H机制、双交滑移增殖机制等。6）位错的塞积位错运动过程中除遇到其它位错而发生交截外，还可能遇到晶界，孪晶界，相界等障碍物而产生“位错/塞积.swf塞积”现象。关于位错塞积现象的讨论：1）刃位错间相互斥力2）位错塞积群对位错源的反作用力 此力与塞积群中的位错数目n成正比。 塞积位错达到n后，外加力与塞积群反作用力平衡， 外力不足以开动位错源，这时近似：式中：τ0为外加分切应力；l为位错源距障碍物的距离；k=（1-v）（注：上式推导见参考书《金属学》，上海交大出版社出版）可见，n取决于位错源到障碍物的距离l和外加分切应力， l一定时，n与τ0成正比。经计算，塞积群中任一位错i距障碍物的距离xi（n很大时）为：xi表示第i个位错距障碍物的距离，若以 为xi的单位，可见在塞积群中每个位错距障碍物不是等距离排列，而是成指数关系。 障碍物对塞积群的反作用力反作用力超过一定值时，就会把障碍物“冲垮”，这意味着晶体开始发生变形。按虚功原理计算该反作用力 按虚功原理，若塞积群中n个位错在外应力τ0作用下局部前移了dx，外应力作功为nτ0·b·dx，障碍物对领先位错反作用力τb所作功为τb·dx。平衡时， nτ0b·dx=τ·b·dx∴ τ=nτ0可见障碍物与领先位错间的作用力是外加分切应力的n倍，所以在障碍物处产生很大的应力集中，这样可能出现三种情况。在障碍物前端位错塞积，当应力大于一定值时，促使相邻晶粒的位错源开动（相邻晶粒位向发生改变）障碍物强度不够高，萌生微裂纹障碍物不坚硬时，位错切过7）位错的交割在滑移面上运动的某一位错，必与穿过此滑移面上的其它位错（称为“位错林”）相交截，该过程即为“位错交割”。位错相互交割后，将使位错产生弯折，生成位错折线，这种折线有两种：割阶：垂直滑移面的折线位错/扭折和割阶.swf扭折：在滑移面上的折线§ 实际晶体中的位错8）实际晶体中的位错实际晶体结构中，位错的柏氏矢量不能是任意的，它要符合晶体的结构条件和能量条件。晶体结构条件是指柏氏矢量必须连接一个原子平衡位置到另一平衡位置。在某一种晶体结构中，力学平衡位置很多，故柏氏矢量可取很多；但从能量条件看，由于位错能量正比于b2，柏氏矢量b越小越好。 正因为b既要符合结构条件又要符合能量条件，因而实际晶体中存在的位错的柏氏矢量限于少数最短的点阵矢量。 全位错与不全位错柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为“全位错” ，其中柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错称为“单位位错”，故全位错滑移后晶体原子排列不变。把柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为“不全位错” ，其中柏氏矢量小于点阵矢量的位错称为“部分位错”。不全位错一般表现为晶体原子堆垛层错区与无层错区的边界线，其滑移后原子排列发生变化。常见金属晶体中的全位错和不全位错晶体结构位错类型柏氏矢量bcc全位错不全位错fcc全位错不全位错hcp全位错不全位错层错前面已讨论fcc结构晶体，密排面堆垛顺序为ABCABC……以“Δ”表示AB、BC、CA……次序用“▽”表示相反次序，即BA、CB、AC……， A B C A B C A B A B A则fcc的正常堆垛顺序为Δ Δ Δ Δ Δ……..，hcp为Δ▽ Δ ▽若在fcc中抽走一层C，则 A B C A B ↓ A B C A B C Δ Δ Δ Δ ▽ Δ Δ Δ Δ Δ插入一层A，则 A B C A B ↓A↓C A