lecture27第六章等效电路影响阈值电压的因素.pptxVIP

Outline1. 等效电路和频率响应2. MOSFET的类型3. 影响阈值电压的其他因素 （1）掺杂浓度和氧化层厚度 （2）衬底偏置一、等效电路和频率相应MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，可以用线性方程组描述小信号特性，其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。1.1 小信号参数（1）线性导纳(漏源输出电导)可忽略在线性区的电阻称为开态电阻或导通电阻，可表示为：在VDS较小时，gdl与VDS无关。随着VDS的增大，但还未到饱和区，gdl将会减小。此时有：不可忽略1、低栅压下gd随栅压线性变化，高栅压下的不同特性主要是由于高表面载流子浓度时迁移率下降造成的2、温度增加，斜率的减小，是在高温下迁移率下降造成的（2）饱和区漏源输出电导在不考虑沟道长度调变效应时，IDS与VDS 无关。饱和工作区的gds为零，即输出电阻为无穷大。饱和区的漏极电阻理想情况下，对于任何超过夹断条件的漏极电压，漏极电流为常数（电流与电压无关）。即对于VDVDsat时的情况，漏极电阻为无限大。饱和区漏极电阻定义为：饱和区漏极电阻可用作图法从漏极特性中求得对于实际MOSFET，饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜，使输出电导不等于零，即输出电阻不为无穷大。当(VGS-VTH)增大时，gds增大。当VDS增加时，gds也增大，使输出电阻下降。(3) 跨导线性区：饱和区的跨导与线性区的导纳相等: 在假设QB为常数时才成立饱和区：(4) 栅极电容MOSFET的栅极电容为：栅极电容称为本征电容:栅－源电容Cgs；栅－漏电容Cgd寄生电容：栅极-源极、漏极两个N+区的重叠部分；源极－衬底；栅极－衬底；漏极、源极两个PN结之间的电容Cds1.2 串联电阻对电导gd和跨导gm的影响① 对跨导的影响由于MOSFET源区的体电阻、欧姆接触及电极引线等附加电阻的存在，使源区和地之间有一个外接串联电阻RS：串联电阻（起负反馈作用）不能忽略时：如果RSgm很大： ② 对输出电导的影响若漏区的外接串联电阻为RD ，在线性工作区受RS 及RD 影响的有效输出电导：说明：1、RS 和RD会使跨导和输出电导变小；2、在设计和制造MOSFET时应尽量减少漏极和栅极串联电阻。根据：提示JFET：代入可得：移项得到：串联电阻的导纳变化总的栅电容1.3 频率特性截止频率f0定义为MOSFET的输入电流和输出电流相等时的频率，即器件输出短路时，器件不能够放大输入信号时的频率。截止频率：在饱和区：二 MOSFET的类型1、对于N沟道MOSFET，在VGS=0时，不存在沟道，只有当VGSVTH时，栅极下才感应导电沟道，这种MOSFET通常称为N沟道增强型（常闭型）。2、在VGS=0时，表面已形成反型导电沟道，器件处于导通状态，称为N沟道耗尽型（常开型）。要使N沟道耗尽，必须在栅极上施加一定的负电压。三 影响阈值电压的其他因素3.1. 衬底掺杂浓度和氧化层厚度的影响根据：(6-9-1)阈值电压与衬底的掺杂浓度和氧化层的厚度有关 N沟道阈值电压与衬底掺杂浓度、氧化层厚度的关系N沟道阈值电压在低掺杂时，为负值;在高掺杂时为正值。P沟道器件总是负值P沟道控制阈值电压的方法：（1）离子注入法：由于用离子注入掺杂含量可以非常精确，所以能精确的控制阈值电压。（2）改变氧化层的厚度。这种方法广泛应用于MOSFET之间的隔离。这时，氧化层厚度比源漏区之外的氧化层（场区氧化层）薄得多。于是场区氧比层VTH比栅氧化层的VTH大得多。若将适当栅偏压同时加在栅极氧化层和场区氧化层上，栅下形成了反型沟道，而场区氧化层下面的半导体表面仍保侍耗尽状态。3.2. 衬底偏置的影响当有一反向偏压加在衬底和源之间(对于N沟道，加在P衬底上的电压VSB相对于源为负)时，耗尽层将加宽，使得空间电荷层中负的固定电荷QB增加：(6-9-2)(6-9-3)增加固定电荷的QB：(6-9-4)ΔVTH为达到强反型，外加栅电压必须增强来补偿QB ，则有：(6-9-5)