《模拟电子技术》教案：半导体器件.docVIP

授 课 教 案 课程： 模拟电子技术 任课教师： 教研室主任： 课号： 1 课题：　电子线路课程介绍及半导体基础知识 教学目的：了解本课程的特点 掌握半导体材料的导电特性和原理 掌握PN结的单向导电性 教学内容：本征半导体；杂质半导体；PN结 教学重点：P型、N型半导体的特点；PN结的单向导电性。 教学难点：PN结的伏安特性；PN结的电容效应。 教学时数：2学时 课前提问及复习：物质导电性的决定因素？ 新课导入：半导体定义 特点:导电能力可控（受控于光、热、杂质等） 典型半导体材料:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 新课介绍： 绪 论 1、电子技术： 无确切定义。因为近年来它发展迅猛，分支庞杂。有种说法为“凡是研究含有电子器件的电路、系统及应用的学科”。 2、发展历程： 以电子器件的更新换代为标志！ 电子学近百年发展史上三个重要里程碑： A、1904年电子管发明（真正进入电子时代） B、1948年晶体管问世 C、60年代集成电路出现(SSI、MSI、LSI、VLSI) 3、若干蓬勃发展的研究方向 A、纳米电子学：纳米空间电子所表现出来的特性（波动性）和功能 B、生物电子学：生物芯片，计算机 C、单芯片系统：微型卫星和纳米卫星应用，一片单芯片系统＝一颗卫星 世界经济兴衰波动遵循“周期理论”，周期约为 60年。电子技术的发展进程周期约 40年： 1905～1947 （42年） ：电子管－晶体管 1947～1987（40年）：晶体管－集成电路 1987～2027（40年），预计纳米电子学将在21世纪上叶形成规模 4、模拟信号与数字信号比较表 5、课程特点 规律性：基本电子电路的组成具有规律性； 非线性：半导体器件具有非线性； 工程性：即近似性，抓主要矛盾； 实践性：实验和设计。 第一章 半导体器件 1.1 半导体 1.1.1 本征(intrinsic)半导体 1、定义： 纯净无掺杂的半导体。 2、本征半导体的载流子： 本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 并且自由电子与空穴是成对产生的，因此在本征半导体中这两种载流子的浓度的相等的。 其载流子浓度取决于激发程度。 3、 本征半导体缺点： （1）、电子浓度=空穴浓度； （2）、载流子少，导电性差，温度稳定性差。 1.1.2 杂质半导体 1、N型半导体： 在本征半导体中掺入+5价的施主杂质，如磷等，得到多子为自由电子的杂质半导体，称为N型半导体。 其多子数量大多数取决于掺杂程度，少子数量取决于激发程度。 2、P型半导体： 在本征半导体中掺入+3价的受主杂质，如铟等，得到多子为空穴的杂质半导体，称为P型半导体。 其多子数量大多数取决于掺杂程度，少子数量取决于激发程度。 1.1.3 PN结 1、PN结的形成： 两种载流子的两种运动动态平衡时形成PN结。 两种运动：扩散（浓度差）、漂移（自建电场力），当多子扩散和少子漂移达到动态平衡，形成PN结。 PN结又称空间电荷区、耗尽层、内电场。 2、单向导电性： PN结正偏时导通（大电流）， PN结反偏时截止（小电流）。 　　 3、PN结的伏安特性： 分为正向特性、反向特性及击穿特性。 4、PN结的电容效应： 　　表现为：势垒电容CB（barrier）、扩散电容CD（diffusion）。 课堂小结： 本征半导体的材料构成、特点 杂质半导体的材料构成、特点，与本征半导体的区别 PN结的构成及伏安特性，单向导电性 作业布置： 思考题：PN结的单向导电性？ 授 课 教 案 课程： 模拟电子技术 任课教师： 教研室主任： 课号： 2 课题：半导体二极管 教学目的：掌握半导体二极管的几种常见结构 掌握半导体二极管的主要参数和单向导电性 掌握稳压管的特性和主要参数 教学内容：半导体二极管的结构 半导体二极管的伏安特性、主要参数 二极管的等效电路 稳压管的特性和主要参数 教学重点：二极管的单向导电特性 教学难点：二极管的灵活应用 教学时数： 2学时 课前提问及复习：PN结的形成 PN 结的单向导电性 新课导入： 由PN结构成的半导体二极管的结构 二极管的伏安特性 二极管的主要参数，等效电路 利用二极管反向击穿特性制成稳压管 新课介绍： 1.2半导体二极管 将PN结加外壳和电极引线就构成半导体二极管 1.2.1 结构类型和符号 类型