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给电容赋值为{c1} 从SPECIAL库中取PARAM并编辑其属性 以下图为例 将电阻RS1替换为breakout库中的电阻Rbreak，并选中该器件，点击EditPspice Model，编辑修改： 把属性按图修改，然后存盘并退出。 蒙托卡诺分析的输出节点设为V(out2)，采样次数为20，保存所有数据，参数分布为平均分布，随机种子值采用默认值。 瞬态分析的终止时间设为1uS。 上图波形显示出电路输出V(out2)在电阻R1阻值在DEV偏差为10%、LOT偏差为20%的均匀分布状态下，随机采样20次的分析结果。 分析结果如下 例： 仿真结果 例：最坏情况分析 属性修改 设置和运行Monte Carlo/Worst-Case 分析的偏差对象 最坏情况分析的参数选项 起作用的偏差器件对象 是否将每次灵敏度分析的结果保存入.OUT输出文件 最坏情况分析 仿真结果 作 业 1 修改下图电路图的BJT晶体管的模型参数BF, 将Q2N2907的误差参数设为dev=30% lot=50%, Q2N2222的误差参数设为dev=20% lot=40%,执行蒙地卡罗分析,分析次数设为100次,设置为Uniform分布,Save data from栏设为All。做出输出点电压的Probe曲线图。 参数修改提示 修改参数 Q2N2222 Q2N2907 分析结果如下所示： * ORCAD PSPICE 温度分析Temperature (Sweep) 在Simulation Setting的Analysis type中选择AC Sweep/Noise，在Options中选中Temperature (Sweep)，如下所示： 在指定的温度下分析 在指定的一系列 温度下进行分析 对下图差动放大电路进行温度分析。分析电路在27、40、60度下的频响情况。AC Sweep的频率从1-1GHz，倍频采样点为101。 三条波形对应于三个不同的温度下电路对V(out2)节点的增益 分析结果如下 三条波形对应于三个不同的温度下的Ic 设置和运行参数分析(Parametric Sweep) 在Simulation Setting的Analysis type对话框中选择Time Domain(Transient)，在Options中选中Parametric Sweep： 参数分析的设置方法与DC Sweep的设置方法完全一样，只是在DC Sweep时，把电路中的电感短路、电容开路。 例：以下图为例，下图是一个简单的RLC滤波器，将分析在输入阶跃信号作用下，输出信号的上升时间以及过冲与电阻R1的关系。 电路输入源采用Source库中的IPWL，0-10MS时没有电流，从10MS-10.1MS电流线性上升，直达1A，然后保持不变。 在瞬态分析下附带对全局参数变量R进行参数分析。瞬态分析时间为0-20S，最大步长为100MS；参数分析采用线性变化，从0.5-1.5欧姆，增量为0.1。 完成分析参数设置后，首先按常规方法进行模拟分析，然后在Probe窗口中调入参数扫描分析的全部11批数据。用户可选择显示某一批分析数据，以查看分析结果。 例如，选择执行Trace/Add Trace子命令，并在Trace/Add Trace设置框中指定显示的信号为：I(L1)@9，即显示第9批分析中(对应R1＝1.5)，流过电感L1的电流。 “上升时间”以及“过冲”性能分析： 选择执行Plot/X Axis Settings子命令，并在屏幕上显示的x轴设置框的Processing Options子框内，选中“电路性能分析(Performance Analysis)”，然后单击OK按钮，启动电路性能分析过程。屏幕上出现电路性能分析显示窗口，x轴成为参数扫描分析中的变量，即电阻R。 选择执行Trace/Add子命令，并在屏幕上显示的Trace/Add Trace设置框中，确定显示的特征值函数及自变量为：genrise(I(L1))，然后单击OK按钮，屏幕上显示出上升时间与R的关系曲线。 选择执行Plot/Add Y Axis子命令，在电路性能分析显示窗口再增加一根y轴，用于显示过冲特性。 重复上述步骤(b)，确定显示的特征值函数及自变量为Overshoot(I(L1))，然后单击OK按钮，屏幕上增加显示过冲与R的关系曲线，结果如下图所示。 C1为自己取的名字,大括号不能省略 新属性取名为c1, 与前面相对应 设置和运行参数分析(Parametric Sweep) 在Simulation Setting的Analysis type对话框中选择Time Domain(Transient)，在Options中