微细和纳米加工技术 光学曝光技术（2.3 光学曝光的工艺过程）.pptVIP

* ★光刻的两种基本工艺类型： 正性光刻、负性光刻。 负性 正性 2.3光学曝光的工艺过程 正性光刻是把与掩模上相同的图形复制到硅片上； ★光刻技术的工艺流程： 硅片预处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶等。 负性光刻是把与掩模上相反的图形复制到硅片表面。 ★预处理是对衬底进行清洗、干燥和表面成膜处理，以改善加工表面的某些状态和特性，使光刻胶与衬底表面有良好的粘附性。 负性 正性 2.3.1衬底或基片的预处理 ★化学增附剂的使用： 有时还要在衬底表面涂覆一层叫做“六甲基二硅胺烷”HMDS(hexamethyldisilazne)的化学增附剂。有了这层增附剂可以确保光刻胶在后续刻蚀工艺中不会脱落。 ★在光刻工艺中所用到的光刻胶绝大多数是疏水的。 ★一般衬底表面的羟基是亲水的，当衬底曝露与湿气（空气、表面残留的水）时，如果在衬底表面直接涂胶的话，势必会造成光刻胶和衬底的黏附性变差，甚至造成局部的间隙或气泡，胶层均匀性和抗蚀性都会受到影响。 ★为了解决这一问题，在光刻涂胶工艺中引入了一种增黏剂(HMDS) 。 ★将增黏剂涂到衬底表面后，通过加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物，这实际上是一种表面活性剂，几个分子厚的增黏剂就可以成功地将衬底表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起到耦合的作用。 ★再者，在显影的过程中，由于它增强了光刻胶与衬底的黏附性，从而有效地抑制腐蚀液进入光刻胶与衬底的侧向钻蚀，提高了光刻胶的抗蚀性。 化学增附剂HMDS的作用 涂胶的均匀性直接影响刻蚀图形的分辨力。一个厚度相差很大、严重凹凸不平的胶面甚至连曝光、显影的条件也难于达到，当然就不会有好的刻蚀结果。（接触式曝光、焦深等问题） 负性 正性 2.3.2涂胶 涂胶厚度必须适当。如果胶过厚，则光波通过率减小，图像的分辨力将变低，刻蚀线条的精度也将变差；胶过薄，虽然图像分辨力提高，但引起的问题是随着胶厚的减小，针孔密度几乎呈指数增加。 ★主要目的是蒸发掉有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化，增强胶膜与硅片之间的粘附性。 负性 正性 2.3.3前烘 合适的前烘温度和时间。若温度过高或时间过长会造成显影时留下底膜或使感光灵敏度下降，腐蚀时则会出现小岛；若温度过低或时间过短，则会造成显影后针孔增加，或产生浮胶、图形变形等现象。 前烘最常用的方法是在电热恒温箱内或在热空气中进行，也可采用红外热源，但应注意避免胶膜见光。 涂好的光刻胶中，常含有很多溶剂，这将使胶膜的致密性以及胶膜与硅片表面的粘附性都较差，从而使显影液的溶解速度不稳定，同时在微细加工过程中容易造成物理损伤。 ★曝光是用一定波长和强度的光波透过掩模，照射光刻胶，使受照射部分的光刻胶发生光化学反应，以形成所需图形的“潜影”，经显影后就可获得与掩模上相应的图形。 负性 正性 2.3.4曝光 对于掩模对准式曝光，则在曝光前要选定适当的接触压力或掩模间隙。 适当的曝光时间：时间太长，显影后的胶面呈现出皱纹，使分辨率降低，图形尺寸发生变化，边界模糊。时间太短，光刻胶的光化学反应不充分，在显影时，将使图形边缘局部溶解，出现毛刺、钻蚀，同时降低光刻胶的抗蚀能力。 曝光时间 负性 正性 曝光时间是由光刻胶、胶膜厚度、光源强度，以及光源与衬底间距离来决定的，一般曝光时间为几秒到几十秒的范围。 通常以短时间、强曝光为好，并通过实验来确定最佳曝光时间。 负性 正性 2.3.5后烘 光线照射到光刻胶与晶圆的界面上会产生部分反射。反射光与入射光叠加会形成驻波。 ★后烘会部分消除这种效应。 ★图2.50是实际曝光和显影后的胶的图形，内壁的条纹清晰可见。 驻波效应及其实例 图2.50 接触孔曝光的光刻胶图形，孔内显示由于驻波效应造成的条纹 ★在曝光后与显影之前对胶进行烘烤可以消除这种驻波效应。 ★在胶表面或衬底材料表面涂覆抗反射膜也可以减弱或消除驻波效应。 驻波效应及其消除 图2.51 计算机模拟的光刻胶横截面 ★所谓显影，就是把曝光后的零件用显影液除去应去掉部分的光刻胶，以获得腐蚀时由胶膜保护的所需要的图形。 负性 正性 2.3.6显影 ★对负性光刻胶，一般采用有机溶剂做显影剂，将未曝光部分的胶溶解掉。 ★对正性光刻胶，则采用无机碱或有机碱的弱碱性水溶剂做显影剂，将曝光部分的胶溶解去除。 ★显影时间随光致抗蚀剂的种类、胶膜厚度、显影液种类、显影温度和操作方法的不同而不同，要根据实际情况进行选择和调整。 ★显影时间过长，容易使胶膜发生软化和膨胀，影响胶膜与衬底的粘附性能，甚至出现浮胶现象； ★显影时间过短，会引起显影不足，因而影响腐蚀出来的图形精度，同时也会降低分辨率。显影时间一般约1~3min。 负性 正性 2.3.7去残胶 ★显影过后通常会在晶圆表面残留一层非常薄的胶质层。这种遗留残胶现象在曝