微细和纳米加工技术 光学曝光技术（2.1 引言+2.2光学曝光方式与原理）.pptVIP

* * 第2章 光学曝光技术 2.1 引言 金属（如钼、铜、低碳钢等）； 半导体（如硅）； 介质（如玻璃）等材料。 光刻加工技术是一种图形复印和腐蚀相结合的表面微细加工技术。 加工的对象 （a）负极性光致抗蚀剂： 光照后，不溶解于显影液，光照处 抗蚀剂留下。 （b）正极性光致抗蚀剂： 光照后，能溶解于显影液，不照处抗蚀剂留下。 ★衬底准备→ 涂胶→ 前烘→ 曝光 →显影→ 坚膜→ 腐蚀 →去胶 ★从光刻加工工艺的基本过程可以看出，光刻加工的基本过程包括衬底准备、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等工艺，其中曝光工艺是光刻加工中最为关键的技术。 光刻加工工艺的基本过程 ★光学曝光方式基本上可以划分为掩模对准式曝光与投影式曝光2类。 ★ 掩模对准式曝光包括接触式曝光与接近式曝光。 ★投影式曝光包括1：1投影和缩小投影(如5：1缩小)。 缩小投影曝光系统又称为步进投影曝光机。 光学曝光方式 掩模对准式曝光 投影式曝光 接触式曝光 接近式曝光 1:1投影式曝光 缩小投影式曝光 2.2 光学曝光方式与原理 图2.2 接触式、接近式与投影式3种曝光方式的示意图 光学曝光方式 ★接触式、接近式与投影式3种曝光方式的示意图： 掩模对准式曝光 ★掩模对准式曝光可以真实地再现掩模图形，但是它要求掩模必须与光刻胶表面完全接触。 ★掩模对准式曝光又可分为接触式曝光和接近式曝光（非接触式光学曝光）。 掩模对准式曝光 2.2.1掩模对准式曝光 1．接触式曝光 ①所谓硬接触就是掩模版与涂胶的硅片通过施加压力的方式来实现完全接触。 接触式曝光具有高分辨率、设备简单、操作方便、生产效率高和成本低等优点。 ★接触式曝光又可分为①硬接触与②软接触曝光。 ②当然，通过调整压力的大小也可以实现软接触。 接触式曝光的缺点是因机械接触容易损伤掩模版，因而使用寿命短，多次使用严重影响芯片成品率。 ★也可以使掩模与胶表面保持一定间隙，成为接近式曝光。这一间隙可以控制在几微米到几十微米(典型值为5～50μm)。但必须注意，该间隙会影响到光学成像的质量。 2．接近式曝光（非接触式光学曝光） 优点： 接近式曝光可以避免掩模的玷污和损伤。 接近式曝光及其优缺点 缺点： 随着集成电路集成度不断提高，特征线宽愈来愈小，当特征线宽减小到可与曝光所用的波长相比拟时，则光通过掩模窗口产生的衍射效应会使分辨率变坏，成为提高光刻分辨率的主要限制因素。 ★可以看出掩模与胶表面的间隙g会造成光强分布的失真，因此理想的接触式曝光应当是硬接触曝光。 ★但硬接触曝光的致命缺点是掩模的损伤，这种损伤可能是接触摩擦对铬层的破坏，也可能是部分光刻胶由于硬接触而黏附到掩模版上。 ★总之，早期采用接触式曝光时，光学掩模版的使用寿命极低。如果是光刻胶黏附污染，则可以通过清洗使掩模版再度可用，但这大大降低了生产率。 图2.3 掩模对准式曝光中掩模与胶表面间隙对胶表面光强分布的影响 (计算机模拟结果) 掩模对准式曝光中间隙g对曝光质量的影响 ★掩模间隙与曝光图形保真度之间的关系可以由下式表示： 影响接近式曝光分辨率的因素 W：模糊区宽度，或者说是胶平面实际成像尺寸与掩模图形设计尺寸之差； λ：照明光波长； z：掩模与胶平面的间隙； k：一个与工艺条件有关的参数。 ★由式可见，若要曝光成像与掩模设计图形尽可能一致，只有减小间隙和缩短照明波长。 ★投影式曝光既有接触式曝光的高分辨率，而又避免了接触式曝光容易产生缺陷的弊端。 ★光学投影成像曝光技术是用光学投影的方法将掩模版图形的影像(以等倍方式或缩小的方式)投影在半导体基片表面上，这时掩模版作为光学成像系统的物方，基片表面上的光致抗蚀剂层为像方。 2.2.2投影式曝光 ★按照投影成像倍数的不同，投影曝光可分为1：1投影曝光和缩小投影曝光两种方式。 ★1：1投影曝光是将含有芯片图形阵列的掩模片的整个版面，通过投影成像方式，等倍地复制到基片上，实现非接触式投影复印曝光。 1. 1：1投影曝光 但1：1成像要求掩模的图形与硅片上做出的图形一样大小。随着集成电路最小图形尺寸的减小，使1：1投影曝光的掩模版制作越来越困难。 1：1投影通过光学成像的方法将掩模图形投影到硅片表面，图像质量完全取决于光学成像系统，与掩模- 硅片之间的距离无关，这样就彻底克服了前面提到的接近式曝光中光学成像不一致的缺点。 优点 缺点 ★缩小投影曝光就是在1：1投影曝光结构原理的基础上，把中间掩模图形加以缩小投影到片子上进行曝光。例如，缩小率有1/10、 1/7 、 1/4等。 2. 缩小投影曝光 随着IC集成度的提高，芯片面积的增大，电路图形线宽的缩小，使得一幅IC的图形既复杂精细，又所占面积很大。照射光线既没有如此