电力电子技术_第2章_电力电子器件课件.pptVIP

那么，GTR正常工作时，必须不能超过最高工作电压Ucem，集电极最大电流ICM和PCM，并且不能超过二次击穿临界线。由这些电压、电流、功耗允许值所限定的电压、电流工作范围称为安全工作区。 只要晶体管在其安全工作区内工作，就不会损坏，其性能不会退化，结温也不会超过额定值，有高度可靠性。 另外，还要注意，温度改变对安全工作区的影响是不容忽视的。 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?开通过程 √开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间 ton= td(on)+tr+ tfv √tfv分为tfv1和tfv2两段。 图2-25 IGBT的开关过程 ◆动态特性 * √关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间 toff = td(off) +trv+tfi √tfi分为tfi1和tfi2两段 ?关断过程 ?引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度要低于电力MOSFET。 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的主要参数 ◆前面提到的各参数(时间参数)。 ◆最大集射极间电压UCES---承受的击穿电压 ◆最大集电极电流 ?包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ◆最大集电极功耗PCM ?在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的特性和参数特点总结如下： ?开关速度高，开关损耗小。 ?安全工作区比GTR大，耐脉冲电流冲击能力。 ?通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 ?输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类似。 ?与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的擎住效应 ?在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开 关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。 ?其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应或自锁效应。 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或温度升高。 ?动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■ IGBT的安全工作区 ?正向偏置安全工作区 （Forward Biased Safe Operating Area——FBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 ?反向偏置安全工作区 （Reverse Biased SafeOperating Area——RBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。 * 2.5 其他新型电力电子器件 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT 2.5.2 静电感应晶体管SIT 2.5.3 静电感应晶闸管SITH 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT * 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT ■MCT（MOS Controlled Thyristor） MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。 ■结合了MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、 快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点。 ■由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为： 一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的 MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 * 2.5.2 静电感应晶体管SIT ■是一种结型场效应晶体管。 ■是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力 MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 ■栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断， 这被称为正常导通型器件，使用不太方便，此外SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 * 2.5.3 静电感应晶闸管SITH ■可以看作是SIT与GTO复合而成。 ■又被称为场控晶闸管（Field Controlled