第三章 (二)探测 3.2 光电导效应 光电技术知识.pptVIP

光电效应——入射光子与物质中的电子相 互作用并产生载流子的效应。 外光电效应：向物质外部发射光电子 光电发射效应 内光电效应：只在物质内部产生光电子 光电导效应 光伏效应 3.2 光电导效应 3.2.1 半导体中的载流子 载流子：半导体中参与导电的自由电子和自由空穴； 半导体的电学性质与材料的载流子浓度有关 载流子浓度：单位体积内的载流子数； 本征半导体：ni = pi ， ni 大，导电性就高；随T升 高而增大，随Eg增加而减小； N型半导体：nn pn ， 室温下，nn = ND（施主浓度） P型半导体：np pp ， 室温下，np = NA（受主浓度） 一、 热平衡状态下的载流子浓度 热平衡条件下，导带中的电子浓度和空穴浓度分别： n = Nce -(Ec-Ef)/kT p = Nve -(Ef-Ev)/kT Nc 、 Nv分别是导带和价带的有效能态密度。 说明：自由电子浓度和自由空穴浓度都是温度的函数，随温度的增加而增大。 两式相乘： n p= NcNve -(Ec-Ev)/kT = NcNve -(Eg)/kT 说明：半导体中电子、空穴浓度的乘积与费米能级无关；禁带宽度Eg越小，浓度越大，导电性越好。 本征半导体：ni = pi =（NcNv）1/2e -(Eg)/2kT n p = ni 2 —— 半导体的平衡态判据 热平衡状态下，载流子浓度是一稳定值。 即：电子、空穴浓度积与半导体的导电类型及电 子、空穴各自的浓度无关。 N型半导体：nn pn ， nn = ND（施主浓度）， pn = ni 2 / ND P型半导体：np pp ， np = NA（受主浓度）， np = ni 2 / NA 二、 非平衡状态下的载流子 半导体在外界条件有变化（如受光照、外电场作用、温度变化）时，载流子浓度要随之发生变化，此时系统的状态称为非热平衡态。载流子浓度对于热平衡状态时浓度的增量称为非平衡载流子。 本征吸收 h?≥Eg ?0Max= hc/Eg 载流子的扩散与漂移 扩散 载流子因浓度不均匀而发生的从浓度高的点向浓度低的点运动。 光在受照表面很薄一层内即被吸收掉。受光部分将产生非平衡载流子，其浓度随离开表面距离x的增大而减小，因此非平衡载流子就要沿x方向从表面向体内扩散，使自己在晶格中重新达到均匀分布。 图为光注入，非平衡载流子扩散示意图 漂移 半导体受到外电场作用时,电子向正电极方向运动,空穴向负电极方向运动。 电流密度： 电导率与迁移率的的关系 导电粒子出现定向运动,必然是受到外加电场的作用,但不同材料中的导电粒子在相同的外加电场下,速率是很不同的,与材料的内部结构有关,迁移率描述内部机制对电子和空穴运动的影响。 材料迁移率：描述内部机制对电子和空穴运动的影响， 电流密度： 对于N型半导体： 材料迁移率： 因此， （N型半导体） （P型半导体） 结论：电导率决定于其载流子密度和迁移率。 当扩散和漂移同时存在时，总的电子电流密度和空穴电流密度分别为： 总电流密度为： 一、光电导效应：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。 当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 3.2.2 光电导效应 决定材料?的三个微观因素: 导电粒子的数目 导电粒子的荷电量 定向迁移率 说明?决定于其载流子密度和迁移率。要增加?， 只有提高载流子密度。 稳态光电导 半导体无光照时为暗态，此时材料具有暗电导； 有光照时为亮态，此时具有亮电导。 如果给半导体材料外加电压，通过的电流有暗电流与亮电流之分。亮电导与暗电导之差称为光电导，亮电流与暗电流之差称为光电流。 当光入射到材料内，入射光子与材料价带中的电子相互作用，若能使电子进入导带，则出现光生载流子对，从而增加了导电粒子的浓度，则光电导（光照