数字电子技术基础 第8章 存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件 目 录 8.1 概述 8.2 半导体存储器 8.2.1 存储器的主要技术指标 8.2.2 随机存取存储器 8.2.3 只读存储器 8.2.4 存储器扩展 8.2.5 综合应用 目 录 8.3 可编程逻辑器件 8.3.1 低密度PLD 8.3.2 高密度PLD 8.3.3 PLD设计流程 8.1 概述 随着集成电路设计和制造工艺的不断改进和完善，集成电路产品不仅在提高开关速度、降低功耗等方面有了很大的发展，电路的集成度也得到了迅速的提高，大规模集成电路LSI和超大规模集成电路VLSI已得到了广泛的应用。 在分析和设计逻辑系统时，应把LSI和VLSI作为一个功能模块来进行使用。 LSI分为通用型和专用型两大类。 通用型LSI是指已被定型的标准化、系列化产品。各种型号的存储器、微处理器等均属此类。 专用型LSI是指为某种特殊用途而专门设计制作的功能块，只能使用在一些专用场所或设备中。 本章仅简要介绍存储器和可编程逻辑器件。 8.2 半导体存储器 半导体存储器（简称存储器）是一种能存储大量二值信息或数据的半导体器件。 它可以存储用户程序以及实时数据等多种信息。 存储器分类 按读写功能分为：只读存储器（Read-Only Memory，ROM）和随机存储器（Random Access Memory，RAM）。 按在计算机系统中的作用分为：主存储器（内存）、辅助存储器（外存）和高速缓冲存储器。 按信息的可保存性分为： 易失性存储器和非易失性存储器。 易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息，它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的RAM都属于此类。 非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息，如ROM半导体存储器、磁介质或光介质存储器。 半导体存储器按读写功能分类时的详细情况如下图所示： 对存储器的操作（也称为访问）通常分为两类：读操作和写操作。 读操作是从存储器中取出其存储信息的过程；写操作是把信息存入到存储器的过程。 8.2.1 存储器的主要技术指标 存储器的技术指标包括存储容量、存取速度、可靠性、功耗、工作温度范围和体积等。 其中存储容量和存取速度为其主要指标。 1. 存储容量 1. 存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量，单位为位或比特（bit）。 存储器中的一个基本存储单元能存储1bit的信息，也就是可以存入一个0或一个1，所以存储容量就是该存储器基本存储单元的总数。 一个内有8192个基本存储单元的存储器，其存储容量为8Kbit（1K=210=1024）； 这个存储器如果每次可以读（写）8位二值码，说明它可以存储1K个字，每字为8位，这时的存储容量也可以用1K?8位来表示。 2. 存取速度 存储器的存取时间定义为存储器从接收存储单元地址码开始，到取出或存入数据为止所需的时间，其上限值称为最大存取时间。 存取时间的大小反映了存储速度的快慢。存取时间越短，则存取速度越快。 8.2.2 随机存取存储器 随机存取存储器RAM，又称为读写存储器。 在工作过程中，既可从RAM的任意单元读出信息，又可以把外部信息写入任意单元。 因此，它具有读、写方便的优点，但由于具有易失性，所以不利于数据的长期保存。 根据存储单元工作原理的不同，RAM可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM两大类。 SRAM的数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能保存，但其集成度受到限制。DRAM一般采用MOS管的栅极电容来存储信息，必须由刷新电路定期刷新，但集成度高。 SRAM速度非常快，但其价格较贵。DRAM的速度比SRAM慢，不过它比ROM快。 1. RAM的结构 RAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路3部分组成，其结构框图如图所示。 存储矩阵由若干个存储单元组成。 在译码器和读/写控制电路的控制下，既可以对存储单元写入信息，又可以将存储单元的信息读出，完成读/写操作。 地址译码器包括行地址译码器和列地址译码器。行地址译码器从存储矩阵中选中一行存储单元；列地址译码器从存储矩阵中选中列存储单元，从而使得行与列均被选中线的交叉处的存储单元与输入/输出线接通。 读/写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。 当读/写控制信号为高电平时，执行读操作； 当读/写控制信号为低电平时，执行写操作。 下图所示为2114RAM的结构框图。 2114RAM的工作模式 2.静态存储单元 RAM的存储单元分为静态存储单元和动态存储单元两种。 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加控制电路而构成的。 由于使用的器件不同，静态存储单元又分为MOS型和双极型两类。 由于CMOS集成电路最显著的特点是静态功耗小，因此其存储单元在RAM中得到了广泛应用。 6管CMO