光纤光学-光纤光栅.pptVIP

* * 光纤的光敏性与掺杂有关。石英材料的分子结构通常为四面体结构，每个Si原子通过形成共价键与四个氧原子相连。由于纯石英的吸收带位于160nm处，对波长在190nm以上一直到红外区的光具有大于90％的透过率。这些波长的光不会对石英材料的性质产生任何形式的影响。因此，光纤的光敏性与掺杂有关。 * 光纤的光敏性与掺杂有关。石英材料的分子结构通常为四面体结构，每个Si原子通过形成共价键与四个氧原子相连。由于纯石英的吸收带位于160nm处，对波长在190nm以上一直到红外区的光具有大于90％的透过率。这些波长的光不会对石英材料的性质产生任何形式的影响。因此，光纤的光敏性与掺杂有关。 * 掺铈光纤、掺铒锗光纤、掺锗硼光纤、掺氟锆光纤、掺铕光纤。 虽然Ge原子与Si原子同为四价元素，可以代替Si原子在石英玻璃中四面体中的位置，但是Ge的掺入仍将对石英玻璃的分子结构产生干扰并不可避免地形成缺陷中心。 在光纤材料中掺入Ge以后将产生位于195nm、213nm、240nm、281nm、325nm、517nm等多个附加吸收带，其中240nm、195nm为强吸收带 * 色心模型由于结构清晰，并得到很多实验事实的支持，可给出光致折射率改变的数量级，模型还不完善。 * 标准掺锗光纤中锗的含量是3％－5％，锗氧缺陷很少，为了增加光纤的光敏性，需要提高锗的含量，高掺锗光纤，折射率变化很小，不能满足对光纤光栅的制作要求。 采用适当的光源和光纤增敏技术，可以在几乎所有种类的光纤材料上不同程度地写入光栅。 B和Ge共掺光纤可提高光纤的光敏性，折射率变化较大; 标准单模通信光纤掺有3％的锗，典型的折射率变化是3X10-5，提高锗掺杂浓度可达到5X10-4 增加掺杂锗浓度提高了纤芯和包层折射率之差，要减小纤芯，造成普通光纤和光敏光纤的匹配性能下降。 因此要寻找增敏新方法，主要考虑： 提高缺陷浓度； 在光纤中掺 杂紫外吸收系数大的杂质； 纤芯或包层中掺入适当杂质，尽可能增大二者之间的热特性失配度； 主要方法：载氢技术、光纤还原法、多种掺杂、预加应力增敏技术； * 光纤光栅分成三种：I型、IIA型、III型。 Ⅰ类光栅 掺杂浓度较低的光纤内形成 较低UV曝光量 局部缺陷引起折射率变化 折射率变化⊿n～10-5—10-3＞0 温度稳定性较差（300℃） 可使脉冲或连续激光，前者更有效 ⅡA（Ⅲ）类光栅 掺杂浓度较高（eg ＞25mol% GeO2)的光纤内形成 较高UV曝光量（ ＞ 500J/cm2)， 结构重构引起折射率变化 折射率变化⊿n＜0 温度稳定性较好（500℃） 可使脉冲或连续激光 Ⅱ类光栅 极高UV曝光量，瞬间局部温度达上千度 物理破坏引起折射率变化(融化石英基质，物理性损伤） 折射率变化⊿n可达10-2 温度稳定性好（800℃） 只能使用脉冲激光 * * 对光纤材料进行还原性处理的另一种方法是在光纤预制棒的制作过程中施加还原性条件或者对光纤预制棒在高温氢气中进行后处理使芯区的缺氧锗缺陷浓度增加，可将光纤材料的光敏性提高2~3倍。这种方法最大的缺点就是氢气与GeO2反应生成的OH-离子将在1.4um处产生一个很强的吸收带。这个吸收带对光信号在两个主要通信窗口的传输具有非常不利的影响。 用这种方法增强光敏性不会产生折射率的飘移。由于对曝光区段的光纤进行处理，因此这种方法对两个主要的通信窗口几乎没有影响。可在标准通信光纤中写制出强Bragg光栅。 * 在石英玻璃中掺入B将使物理性质发生很大的变化，比如，掺B后石英玻璃的热膨胀系数增大，同时熔点降低。在几百摄氏度高温下的退火实验，证实了在B/Ge光纤的纤芯区将由于B的掺入而引入较大的应力。 利用B/Ge双掺提高光纤材料光敏性最主要的有利因素是B的掺入能够引起光纤材料芯区的折射率的降低。因此，B/Ge双掺光纤材料可以具有较高的锗掺杂浓度，同时又不引起光纤芯包折射率的增大，从而可实现与普通单模光纤的良好匹配。 如果对B/Ge双掺光纤材料进一步载氢处理，可以在较短的曝光时间内获得很高的光栅反射率。 II型可耐800℃高温，但只有波长大于Bragg波长的能透过。 IIA型光栅的稳定型优于I型光栅，但制作工艺复杂.I型光栅的温度稳定性是最差的。 所以光纤光栅一般要进行热处理，以保证以后应用中反射特性的稳定性。 无论是智能网络还是光纤通信系统，光纤光栅的长期稳定性都十分重要。特别是在传感领域要是实现高温测量，更要求光纤光栅具有足够高的温度稳定性。因此高温稳定性的光纤光栅制作技术具有重要意义。 * (1)此方法是早期使用的，实验需要在特制锗掺杂光纤中进行，要求锗含量很高，芯径很小。 (2)上述方法只能够制作布拉格波长与写入波长相同的光纤光栅，这种光栅几乎无法获得