第一章 体二极管.pptVIP

* 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 [例]：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ?，求iZ。 若负载电阻变化范围为1.5 k? -- 4 k? ，是否还能稳压？ RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZ=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k? , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA） 负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用 1.2.4 PN结的电容特性 势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容CT 扩散电容CD 阻挡层外（P区和N区）贮存 的非平衡电荷量,随外加电压 变化产生的电容效应。 CT(0) CT V 0 xn 少子浓度 x 0 -xp P+ N PN结电容 PN结反偏时，CT CD ，则 Cj ≈ CT PN结总电容： Cj = CT + CD PN结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 故：PN结正偏时，以CD为主。 故：PN结反偏时，以CT为主。 通常：CD ≈几十PF ~ 几千PF。 通常：CT ≈几PF ~ 几十PF。 1.3 晶体二极管电路分析方法 晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型： 适于任一工作状态的通用曲线模型 便于计算机辅助分析的数学模型 直流简化电路模型 交流小信号电路模型 电路分析时采用的 数学模型—伏安特性方程式 理想模型： 修正模型： rS — 体电阻 + 引线接触电阻 + 引线电阻 其中：n —非理想化因子 I 正常时: n ?1 I 过小或过大时: n?2 注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面漏电流的影响，实际IS??理想IS。 1.3.1 晶体二极管的模型 曲线模型—伏安特性曲线 V(BR) I (mA) V(V) VD(on) -IS 当V VD(on)时 二极管导通 当V VD(on)时 二极管截止 当反向电压V ? V (BR)时 二极管击穿 晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。 简化电路模型 折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中， 实际二极管的伏安特性。 I V VD(on) I V 0 a b I V VD(on) a b VD(on) RD D + - 理想状态：与外电路相比，VD(on)和RD均可忽略时， 二极管的伏安特性和电路符号。 开关状态：与外电路相比，RD可忽略时的伏安特性。 简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。 小信号电路模型 ：为二极管增量结电阻。 （室温） ：PN结串联电阻，数值很小。 Cj：PN结结电容，由CD和CT两部分构成。 注意：高频电路中，需考虑Cj影响。因高频工作时， Cj容抗很小，PN结单向导电性会因Cj的交流旁 路作用而变差。 I V Q rs rj Cj 图解法 分析二极管电路主要采用：图解法、简化分析法、小信号等效电路法。（重点掌握简化分析法） 写出管外电路直流负载线方程。 1.3.2 晶体二极管电路分析方法 利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。 要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。 分析步骤： 作直流负载线。 分析直流工作点。 优点：直观。既可分析直流，也可分析交流。 例1：已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的静态工作点电压和电流。 I V Q + - R VDD D I + - V 由图可写出直流负载线方程：V=VDD-IR 在直流负载线上任取两点： 解： VDD VDD/R 连接两点，画出直流负载线。 VQ IQ 令I =0，得V= VDD； 令V =0，得I = VDD / R； 所得交点，即为Q点。 简化分析法 即将电路中二极管用简化电路模型代替，利用所得到的简化电路进行分析、求解。 将截止的二极管开路，导通的二极管用直流简化 电路模型