电力电子器及共性问题.pptVIP

29.1 典型全控型器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） *** GTR的特点 双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 *** MOSFET的优点 单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 IGBT 是将GTR和MOSFET取长补短结合而成的复合器件，具有好的特性，已是市面上的主导器件。 29.1 典型全控型器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） *** IGBT的符号及控制方式 压控器件，通断由栅射极电压UGE决定。 导通：UGEUGE(th)时，MOSFET内形成沟道; 为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小, 使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET 内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 29.1 典型全控型器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） *** IGBT的主要特点 ** 开关速度高，开关损耗小; ** 开关频率略低于MOSFET; ** 电压电流容量大，高于GTR; ** 驱动电流小，驱动电路简单; 其它新型器件自学 总 结 电压驱动型： 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简 单，工作频率高。 电流驱动型： 特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗 小，但工作频率较低，所需驱动功率大,驱动电路 较复杂。 当前的格局: 电压电流额定值由高到低: SCR、GTO、IGBT、 GTR、P-MOSFET。 工作频率由高到低： P-MOSFET 、IGBT、 GTR、 GTO、 SCR。 总 结 29.2 电力电子器件应用的共性问题 电力电子器件的驱动电路 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口。 可使电力电子器件工作在较理想的开关状态；在驱动电路中设置对器件或整个装置的一些保护措施。 驱动电路的基本任务: *** 将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。（半控型器件、全控型器件） *** 提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 1、引言 29.2 电力电子器件应用的共性问题 电力电子器件的驱动电路 光隔离----- 一般采用光电耦合器。 磁隔离----- 通常采用脉冲变压器，多用于晶闸管触发电路中。 29.2 电力电子器件应用的共性问题 电力电子器件的驱动电路 2、晶闸管触发电路 作用：产生门极触发脉冲，保证SCR需要时由阻断转为导通。 限流电阻 *** V1、V2导通时 *** V2关断时 UVD3= UGK 产生输出脉冲 防止负脉冲和干扰 29.2 电力电子器件应用的共性问题 电力电子器件的驱动电路 3. 电流驱动型器件的驱动电路 通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路 三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式。 *** GTO驱动电路----- 大容量电路的场合 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低。 29.2 电力电子器件应用的共性问题 电力电子器件的驱动电路 *** GTO直接耦合式驱动电路 二极管VD1和电容C1提供+5V电压 VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压 VD4和电容C4提供-15V电压 典型的直接耦合式GTO驱动电路： V1 开通时，输出正强脉冲 V2 开通时输出正脉冲平顶部分 V2 关断而V3开通时输出负脉冲 V3 关断后R3和R4提供门极负偏压 * * * * * * 全控型器件及应用的共性问题 29.1 典型全控型器件