变频器原理第2篇.ppt

变频器原理与应用 2.1.6 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管与普通晶闸管一样，也是PNPN四层三端半导体结构，引出电极包括阳极A、阴极K和门极G。 （3）芯片可以比GTO芯片做得很薄，薄得如同二极管的PN结，故可与反并联的续流二极管集成在一个芯片上。 （4）IGCT可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行，是一种高耐压大电流器件，目前IGCT的最高阻断电压为6 kV，工作电流为4 kA。 若门极G相对于阳极A加上正脉冲电压信号时，uAG0，igoff向N沟道MOS管提供驱动信号使N沟道的off-FET管开通，Off-FET导电后其端电压变小，使T1管基极电流减小，从而引发T1、T2管内部正反馈控制：ib1↓→ic1↓→ib2↓→IK≈IA↓→ic2↓→ib1↓。随着IA、IC1和IC2的不断减小，Tl、T2的电流分配系数α1、α2越来越小，最终导致MCT从通态转入断态。 六块触发板的X、Y可按如图2-31所示方式连接，即后相的X端与前相的Y端相连。在安装使用这种触发电路的晶闸管装置时，应先测定电源的相序，再正确连接。如果电源相序相反，装置将不会正常工作。 2.3 实 训 1.实训目的 2.实训电路 3.实训设备 4.实训内容及步骤 5.实训报告要求 （4）为了防止功率MOSFET截止时误导通，故应在其截止时提供负的栅源电压，该电压还应小于U(BR)GS。 （5）应能实现主电路与控制电路的电气隔离。 （6）由于功率MOSFET通常工作频率高、输入电阻大、易被干扰，应具有较强的抗干扰能力。 3. IGBT栅极驱动电路 IGBT是以GTR为主导组件、MOSFET为驱动组件的复合结构器件，因此其栅极驱动电路与功率MOSFET的栅极驱动电路有相似之处。 1）对IGBT栅极驱动电路的要求 对IGBT栅极驱动电路的要求有： （1）IGBT为电压驱动，输入极为绝缘栅极，有一个容性输入阻抗，对电荷积聚很敏感，因此，驱动电路必须可靠，要保证有一条低阻抗的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线应尽量短。 （2）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压UGE的前后沿足够陡峭，减少IGBT的开关损耗。IGBT开通后，栅极驱动源能提供足够的功率，以使IGBT的开、关可靠，并避免在开通期间因退饱和而使IGBT损坏。 （3）要提供大小适当的正反向驱动电压UGE。正向偏压UGE增大时，IGBT通态压降和开通损耗均下降。但若UGE过大，则在有短路过程的设备中， IC随UGE的增大而增大，使IGBT能承受短路电流的时间减小，不利于其本身的安全。因此，UGE应取得小一些，一般选UGE为12～15 V。 （4）在关断时，为尽快抽取IGBT的存储电荷，防止因关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，应对其施加负偏压（－UGE），但其值又受C、E间最大反向耐压限制，一般取－5～－10 V。 （5）要提供合适的开关时间。快速开通和关断有利于提高工作频率，减小开关损耗，但在大电感负载情况下，IGBT的开关时间不能太短，以限制di/dt所形成的尖峰电压，防止元器件击穿。 （6）要有较强的抗干扰能力并带有对IGBT的保护功能。 （7）IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，因此驱动电路与信号控制电路在电位上应严格隔离。 2.2.7 电力电子器件的保护 1.晶闸管的保护 1）过电流及其保护 当线路发生超载或短路等情况时，晶闸管的工作电流会超过允许值，形成过电流。此时，由于流过管内PN结的电流过大，热量来不及散发，使结温迅速升高，最后烧毁结层，造成晶闸管永久损坏。 产生过电流的常见原因有以下几个方面：电网电压波动太大；电动机拖动的负载过大；整流电路直流输出侧短路、逆变电路因逆变失败引起的很大的短路电流；可逆传动环流过大、控制系统故障，产生的过电流；内部晶闸管损坏或触发电路故障使晶闸管误导通，造成相邻桥臂上的晶闸管导通，引起两相电源短路。 晶闸管承受过电流的能力较差，要在过电流还未造成晶闸管损坏之前，快速切断相应电路而消除过电流或对电流加以限制。可采用的过电流保护措施，如图2-48所示。 图2-48 晶闸管装置可采用的过电流保护措施 1—进线电抗限流； 2—电流检测和过流继电器； 3、4、5—快速熔断器； 6—过电流继电器； 7—直流快速断路器 如图2-49所示为快熔常见的三种接法。