6-18G模拟移相器的研制及其应用.pdfVIP

6．18G模拟移相器的研制及其应用 温度、电磁兼容等特性。 ·器件的微组装工艺 电路设计的讨论之后，在§2．6节中，讨论了芯片的邦定方法，金丝的键合， 这些工艺也是保证其宽带特性的基础。 ·提出了幅相控制的运算方法及误差分析 在第二章移相器的应用中，将移相器和衰减器级联，探讨了用衰减器补偿 移相器插入损耗的波动，从而完成恒定插入损耗的移相器，并引申讨论了任意 幅度和相位控制的方法，最后给出了控制误差及其分析。 6-18G模拟移相器的研制及其应用 第二章程控移相器 2．1系统对移相器提出的指标 本器件最先是在导引头半实物仿真系统中应用的，系统对移相器提出的指 标如下： 1)频率范围6～18GHz 2)插入相移及步进3600／2．8。 3)转换速度lus dB／360。区间 4)插入损耗随相移的变化5 5)相移随频率的变化任意50。／任意50啪Hz MHz 6)插入损耗随频率的变化0．5dB／任意50 7)插入损耗15dB 8)不损坏功率1w 2．2移相器的一般实现方法及原理 电调移相器通常有四种： 1)PIN二极管移相器，功率范围宽、转换速度快、其步长为步进式。 2)铁氧体移相器，功率虽然大，但体积大、转换速度慢、频带窄。 3)变容二极管式移相器其转换速度快，尺寸小、Q值高、偏置电源的功率 无限小。 4)新颖的GaAs双栅场效应管移相器，工艺水平要求很高。 理论上讲同传输线串联或并联的任何电抗，都会引入插入相移，因而可作 为移相器的电路结构有无限多种，但若要求器件的插入损耗和反射损耗都要最 小，那么实用的电路就减到少数几种，概而言之有开关线式移相器、传输线式 移相器和反射式移相器。 根据总体技术要求，结合国内的科研生产情况，只能考虑用半导体器件来 控制相位，下面我们分别来讨论它们。 2．2．1 PIN二极管移相器 从五十年代开始，由于电控相控阵天线的需要，人们对PIN二级管己作 了大量的研究，已做出了体积小，成本低的各种移相器，虽然其功率容量可以 6．18G模拟移相器的研制及其应用 已变得不能接受，这是由于移相器的原理本身所决定的。 (1)开关线式移相器 为了获得插入相移，从概念上讲，人们最容易想象的办法是：设置两条 可供选择的传输通路，并使二者的电长度等于所需的相移，如图2．1： I+A1 a)理想电路 b)采用PIN管的实际电路 图2．1开关线式移相器示意图 用这种方法得到的相移与频率成正比，并且若要求相移360睨．8。，则需要七级 的插损难以接受。 (2)传输线式移相器 顾名思义即在传输线上加载若干二极管，之间用这样的传输线连接，如图 2—2 Zo，L 图2-2传输线式移相器示意图 这样的电路对于大部分应用场合，其匹配性能随着频率偏离fo而恶化得非 常快，即可用带宽很窄。 东南大学硕士论义 6-18G模拟移相器的研制及其应用 (3)反射式移相器 dB 当PIN管正反向工作时，分别形成串、并联谐振电路，利用环行器或3 电桥加以连接形成反射式移相器，这是形成大相移位的方法，并且工作带宽不 超过10％。 2．2．2反射式变容管移相器 2_2．2．1变容二极管及其安装等效电路 · 变容管是一种年代久远的微波固态器件，又称参量