PIN二极管电特性的谱无法快速分析.pdfVIP

TCAD、MEDICI、COMSOL 件如Silvaco Multiphysics等价格均十分高昂，且对一些特 殊问题的求解缺乏通用性，甚至当半导体工作在某些状态下时，软件还会存在无法仿真 的情况【6】。因此我们需要自主开发出一种数值算法来实现半导体器件的建模与仿真，进 而更好的促进半导体技术的发展。 PIN二极管器件是一类简单的半导体器件，主要结构包括：重掺杂的施主区，重掺 杂的受主区以及本征区，向外以金属电极的形式延伸出两个引脚。PIN二极管器件的结 构简单，又不失一般性，同时，描述PIN二极管内部半导体特性的物理方程对其它大多 数半导体器件而言具有通用性。从PIN二极管的应用角度出发，它的结构可以简单的看 作在PN结中间插入了～层较厚的本征半导体层。该本征层的加入使得PIN二极管具有 有别于普通PN结二极管的特性，在射频领域被广泛应用于射频开关、射频衰减器、射 频限幅器、射频数字移相器等，在电力电子领域多用来当大功率的整流管，在光电领域 多用于光电检测器等掣71。对PIN二极管，特别是抗高功率P玳二极管的建模与仿真会 伴随电流过冲、功率损失等现象[8】，且可以将PIN管的电学特性与热学特性【如lo】或是外 部电路llu交互仿真。对PIN二极管数值仿真算法的研究对其它半导体器件的建模与仿 真，甚至是对整个半导体集成电路的建模与仿真都具有重要的意义【12--”】。 描述PIN二极管器件的模型一般有三大类[14】：第一类是PIN二极管的电路模型， 它是指与PIN二极管半导体器件表现出相同外部特性的等效电路，是用一组电容、电感 的电路模型对PIN管进行等效，这个过程与PIN管内部的物理过程没有关系，只取决于 PIN管的外部电路特性【15】；第二类是PIN二极管的数值模型，它是将描述PIN管内部载 流子的Possion方程和电流连续性方程进行离散，并结合PIN管给定的边界条件和初值， 通过计算机语言进行编程求解，通过对求解精度的设定，总可以得到满足工程需求的解 ¨Ⅵ；第三类是PIN二极管的物理模型，这种模型是对描述PIN管内部载流子的漂移、 扩散以及载流子复合来直接求解，结果为解析的形式，包含了许多数学等式和参量【17】。 第一类模型对PIN二极管进行了简化，只能描述某些特定的工作状态：第三类模型在大 多数情况下都无法求得解析解，应用价值不大；第二类模型虽然没有对PIN管作出简化， 但仍然可以求得满足任意精度下的解，具有较大的工程应用上的价值。 本论文接下来将从描述PIN二极管的Possion方程和电流连续性方程出发，结合给 定的边界条件，利用谱元法对PIN管的稳态电学特性和瞬态电学特性进行精确的数值模 拟，仿真求得了器件内部的各种载流子和场的分布，并利用程序的后处理部分得到描述 PIN管的稳态特性曲线和瞬态特性曲线。为了对半导体集成电路系统进行建模和仿真， 在上述算法的基础上，结合了谱元法基函数高阶精度的特性，对算法提出了一系列加速 的策略进行改进与优化。全文对PIN二极管的建模与仿真，为今后对其它半导体器件， 甚至是整个半导体集成电路的计算机建模与仿真打下基础。 ———————————————————————————————————————————————————————————_===—==—二=…。’．=：一……’ !里型望王—一 !型三壑篁皇塑堡塑堂至鎏堡望坌堑 1．2国内外研究现状 PIN二极管器件的建模与仿真是半导体器件数值模拟方面的一大块内容，而半导体 器件数值模拟方面的研究一直都是半导体研究领域的重点和难点。经过了几代科学家若 干年的努力，这一方向的研究取得了不少的成就，但随着半导体技术的不断发展，对半 导体器件建模与仿真的要求在不断的提高，这一方面的研究还需要不断完善，只有这样， 半导体的数值模拟对半导体技术的发展才会有积极的推进作用。 半导体器件的数值模拟是半导体技术发展过程中提出的一个概念，它是半导体技术 与计算机技术的交叉领域，这一提法最早出现在Shockley于1949年发表的论文当中【18】， 这一篇论文为半导体器件的数值模拟起到了奠基的作用，肖克莱也可认为是半导体器件 数值模拟的鼻祖。半导体器件的数值模拟是利用高性能的计算机实现的，所以它也可称 为半导体器件的计算机模拟，它通常是指，用抽象的数学方法对所关注的半导体器件建 立恰当的物理模型，并得到半导体问题所对应的数学表述，然后利用合适的计算机语言 开发出软件应用，该软