《模拟电子技术》复习大纲（二）.docVIP

《模拟电子技术》复习大纲（二） 五、典型题解 1.4 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 解：波形如解图P1.4所示。 1.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA 其动态电阻 rD≈UT/ID＝10Ω 故动态电流有效值 Id＝Ui/rD≈1mA 图P1.6 1.11 电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 图P1.11 解：波形如解图P1.11所示 解图P1.11 1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 图P1.14 解：答案如解图P1.14所示。 解图P1.14 1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 图P1.15 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。 解表P1.15 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 1.16 电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 （2）当VBB＝1V时，因为 μA 所以T处于放大状态。 （3）当VBB＝3V时，因为 μA 图P1.16 所以T处于饱和状态。 1.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 图P1.99 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能 1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明 ①、②、③与G、S、D的对应关系。 解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.21.解图P1.21 1.23 电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以uGS＝uI。 当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。 当uI＝8V时，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD≈0.6mA，管压降 uDS≈VDD－iDRd≈10V 因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于开启电压， 图P1.23 说明假设成立，即T工作在恒流区。 当uI＝12V时，由于VDD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区。 1.24 分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 图P1.24 解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能 2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。 图P2.2 解：（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。 （d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的(＝80，=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。 图P2.7 解2.7 在空载和带负载情况下，电路的静态电