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基于磁控溅射技术沉积光伏电池用硅基薄膜材料的研究 18西安理工大学JournalofXi’allUniversityofTechnology(2009)Vo1.25No.1 文章编号:1006-4710(2009)01-0018-05 基于磁控溅射技术沉积光伏电池 用硅基薄膜材料的研究 赵志明,蒋百灵,郭伟 (西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安710048) 摘要:硅基薄膜太阳能电池是光伏电池领域最具有发展前景的组件.采用非平衡磁控溅射技术制 备氢化硅薄膜和SiN/Si纳米多层膜,并对其结构与性能进行了分析.结果表明,Si:H薄膜呈现出 非晶硅和硅纳米晶颗粒复合结构;随着溅射混合气中氢气含量的增加,Si:H薄膜的晶化程度增强; Si:H薄膜的光学带隙均高于2.0eV.利用交替磁控溅射方法沉积的SiN/Si纳米多层膜结构,其 呈现出非晶相. 关键词:硅薄膜;硅纳米晶;SiN/Si纳米多层膜;磁控溅射 中图分类号:0484.1文献标识码:A TheStudyofSi-BasedThinFilmsDepositedbyMagnetronSputtering f0rPhotovoltaicCell ZHAOZhi-ming,JIANGBai-ling,GUOWei (FacultyofMaterialScienceandEngineering,Xi’anUniversityofTechnology,Xi’an710048,China) Abstract:Recently,Si.basedthinfilmssolarcellisoptimalcandidateforPVcel1.Inthispaper,Si:H thinfilmsandSiN/Simuhilayeraredepositedbyunbalancedmagnetronsputtering,whosestructuresand behaviorsareanalyzed.rrheresultsindicatethatSi:HthinfilmsappeartohaveamorphousSiandSi nanocrystallinecompositestructures;andwithanincreaseinH2contentsinsputteringmixedgas,Si:H thinfilmcrystallizationdegreeincreases;theopticalbandgapofSi:Hthinfilmswerehigherthansingle crystalsilicon’S,beingabove2.OeV.TheSiN/Simuhilayersisdepositedahematelybymagnetron sputteringandappeartoamorphousphase. Keywords:Sithinfilms;Sinanocrystalline;SiN/Simuhilayers;magnetron 随着能源危机和”温室效应”日趋严重,开发和 发展新型清洁可再生能源成为能源领域的重要任 务,其中太阳能以其清洁环保,取之不尽等优点成为 重点发展的新型能源之一.硅基太阳能电池具有原 料丰富,无毒等优点,已成为陆地用高性能太阳能电 池领域最具有发展前景的电池组件之一. 硅薄膜太阳能电池的制造技术主要是化学气相 沉积(CVD)技术,包括常压CVD,热丝CVD以及等 离子体增强CVD等.近些年,随着磁控溅射技术的 发展,由于它具有能够精确地控制工艺参数,膜层质 量和薄膜组分,薄膜均匀性好,沉积速率高以及工作 温度低等优点,备受太阳能电池领域的青睐.目前, 利用脉冲磁控溅射技术已在高衬底温度的条件下获 得了晶态硅薄膜4.,为磁控溅射在硅基太阳能电池 领域的应用提供了巨大的技术支持. 本文基于薄膜硅太阳能电池和硅基纳米材料太 阳能电池的设计思想,利用直流磁控溅射技术沉积 氢化硅薄膜和硅基纳米多层薄膜结构,并对薄膜的 微观结构和光学性能进行分析讨论. 1实验 室温下,在UDP450控溅射设备上利用反应磁 收稿日期:2008.11-13 基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2005AA33H010);西安理工大学科研基金资助项目 (101210703). 作者简介:赵志明(1978一),男,内蒙古通辽人,讲师,博士,研究方向为光电转换材料及纳米功能薄膜材料. E—mail:zhaozhiming78@. 赵志明等:基于磁控溅射技术沉积光伏电池用硅基薄膜材料的研究19 控溅射和常规磁控溅射结合的方法在单晶硅片上沉 积完成了氢化硅薄膜和硅基纳米SiN/Si多层膜. n型单晶硅片基体在薄膜沉积前在超声波环境下用 丙酮清洗.溅射硅靶材选用P型多晶硅材料,硅