钨电极与氧化锌纳米线接触的电学特性_.docVIP

钨电极与氧化锌纳米线接触的电学特性* 卫 斌1，吉 元1*，王 丽1，张隐奇1，谢雪松(1. 北京工业大学固体微结构与性能研究所， 北京 100022) (2.北京工业大学北京 100022)摘要：微操纵系统扫描电镜I–V)曲线的两探针装置。测量得到基本线性、对称非对称整流型I–V曲线金属半导体M-S-M)模型和热电子发射理论分析了I–V曲线纳米线纳米线计算线性I-V电阻率4.2 ?·cm；非对称整流型I-V特性曲线的有效势垒纳米线，I-V 特性，欧姆接触，肖特基势垒3.37 eV，具有较高的激子结合能60 meV，目前对氧化锌纳米线制备技术的研究已形成热点[1-4]。 在制造微电子器件中遇到)的界面接触问题，进入纳电子器件制造领域，与电极的接触状况成为决定其电学传输性能的一个关键技术，因而成为纳电子器件可靠性研究的重要课题[]。目前纳米纳电子器件模型的研究。Hernandez-Ramirez[6]采用聚焦离子束(FIB)技术制备纳米电极接触，用2探针和4探针法测试了SnO2纳米线的电流–电压(I–V)曲线，并用金属半导体金属(M-S-M)Pt-SnO2结的整流Zhang等[]用热电子-场发射理论研究了不同有效势垒对ZnO和Bi2S3纳米线I–V曲线的影响。Lao等[]用电泳法制备的ZnO金电极接触显示出肖特基二极管整流特性Kim等[]采用等离子加热化学气相沉积制备硅化镍纳米线，电泳法制备纳米线接触，测出硅化镍纳米线电阻率183和208 μ(·cm，电流密度为3.36×107 A/cm2。Marcus[10]用四角状ZnO制作了紫外光电二极管，沉积钨和铂电极分别与ZnO形成欧姆接触和肖特基接触，UV激发后加强器件的I–V曲线由整流型转变为欧姆特性。Chang等[]采用还原(-Fe2O3纳米线模板制Fe3O4纳米线10.30 ?·cm，比块体铁磁矿晶体的电阻率大3个数量级。Duvail等[12]用4探针法测试得到3,4-ethylenedioxythiophene绝缘聚合物纳米线直径变化导致电学特性转变的结果。Weissenberger等[13]研究了掺镓使ZnO纳米线的电阻增加。Long等[14]用水热法合成CdS纳米线，通过FIB技术制备CdS纳米线－铂电极接触，纳米线的电导率为0.82 (V·cm)-1，0.055 eV。 本文采用具有纳米位移精度的微操纵系统(MMI)，在环境扫描电镜中原位观察、移动和测试了氧化锌纳米线的电学特性。研究了2探针钨针尖与ZnO纳米线接触形成的M-S-M结构的I–V曲线的特性及形成机理，并计算了ZnO纳米线的相关电学参数。 2、实 验 测试系统由FEI Quanta 200环境扫描电镜ESEM）、Kleindiek MM3A微操纵仪和HP4140B 组成。MM微操纵仪具有纳米级的步进精度，进退、水平转动和垂直转动的位移分别0.2 nm，2 nm和2.5 nm。MM探针采用钨针尖钨功函数4.55 eV。pA表测试范围10-15 A～10-2 A，输出电压0.01 V～100 V，增量0.01 V。pA表I–V曲线输出电压 -20 ( +20 V，增量0.5 V。ESEM真空.1×10-3 ( 10-4 Pa，电子束辐照能量30 keV，电流 (。ZnO纳米线由气相沉积法制备0 (20 μm，直径 30 ( 500 nm。ZnO是一种极性半导体六角纤锌矿型六方晶系点群6mm微操纵仪两根钨针尖接触单根纳米线两端形成M-S-M接触构成探针测试装置图。本实验通过高能电子束（30 kV）定点辐照纳米线和钨电极的界面纳米线固定电子束的辐照作用与退火作用类似钨针尖与纳米线构成的M-S-M结构器件等效电路纳米线两端连接着两个反向二极管见图右下角。所有I–V曲线均进行了重复测试一种处理手段。单根碳纤I–V曲线探针测试装置ZnO纳米线的SEM照片及等效电路(bar= 2 μm) 3、结果与讨论 单根碳纤两根钨针尖I–V曲线I–V曲线线性变化，表明碳纤维－钨形成欧姆接触。由I–V曲线计算出碳纤维ρ ( 1.13×10-2 (·cm，文献报导～×10-2 (·cm接近[]。测试结果表明，测量可靠稳定得到ZnO纳米线I–V曲线对称非对称整流型典型的I–V曲线[5-14]。 基本线性（图2）：I–V 曲线呈近似直线型，M-S结为基本欧姆接触，显出轻微的肖特基特性I–V曲线斜率求出ZnO电阻[8,19]。求出ZnO的电阻2.23 M(，电阻率ρ = 4.2 ? cm，电导率(0.24 S/cm，表明ZnO具有半导体特性ρ值与文献报导值7.06 (·cm接近[8]。对称I–V 曲线基本对称，M1-S结和M2-S结M-S结I–V曲线非对称整流型I–V曲线显示出，在加绝对值相同的正负偏压时电流值不同M1-S结和M2-S结半对数坐标