第三章-微系统加工工艺.pptVIP

增强CVD CVD的沉积速率与以下物理参数成正比： （1）温度，T3/2； （2）载体气的压力，p-1； （3）气体流速V-1； （4）气体流动方向上的距离x1/2。 6. 化学气相沉积—Chemical Vapor Deposition 增强CVD 1）低压CVD（Low Pressure CVD，LPCVD） LPCVD一般在大约1托的真空度下进行； 1Torr=1mmHg=133.3Pa 6. 化学气相沉积—Chemical Vapor Deposition 增强CVD 2）等离子体增强CVD（Plasma Enhanced CVD，LPCVD） APCVD 和LPCVD都是在 高温下进行，从而经常损害硅基底； CVD需要高的基底表面温度为扩散和化学反应提供足够的能量； 利用高能无线射频电源产生的等离子体可以为反应物提供能量--PECVD。因此可以允许基片保持在低温状态。 射频源的频率一般在3k~300GHz范围； 6. 化学气相沉积—Chemical Vapor Deposition 6. 化学气相沉积—Chemical Vapor Deposition 三种主要CVD工序的总结和比较 7. 物理气相沉积—Physical Vapor Deposition 溅射一般用来在基底表面沉积10nm厚度的金属膜； 金属膜用来传输传感器产生的电信号或者为执行器提供电流； 溅射-Sputtering 溅射工艺是在室温和压强非常小（即高真空度，5×10-7Torr）的情况下用等离子体来实现； 化学反应几乎不能发生。 等离子体是由带正电的气体离子组成！ 7. 物理气相沉积 金属蒸汽由高能射频源产生的等离子体撞击目标表面产生； PVD中一般用惰性的氩气作为载体气； 等离子体中的Ar离子高速撞击靶材表面，导致金属离子的蒸发，冷凝后沉积到基底表面，形成金属薄膜。 溅射 End! 第三章 微系统加工工艺 1 引言 2 光刻 3 离子注入 4 扩散 5 氧化 6 化学气相沉积 7 物理气相沉积-溅射 8 外延沉积 9 腐蚀 1. 引言 传统机械加工 微细加工 1. 引言 超净室(clean room) 指将一定空间范围内之空气中的微粒子、有害空气、细菌等之污染物排除，并将室内之温度、洁净度、室内压力、气流速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制在某一需求范围内，而所给予特别设计之房间。 洁净度 气体 去离子水 --- 1. 引言 超净室(clean room) 2. 光刻技术-Photolithography 光刻-利用光成像和光敏胶膜在基底上图形化的技术。 光刻工艺包含三个主要步骤： 1.旋涂光刻胶； 2.曝光，将掩模版上的图形印制在光刻胶上； 3.显影，浸没在水性显影溶液中以溶解掉曝光过的光刻胶（正胶工艺）。 光刻的目的： 将掩膜版上的图形转移到沉积的薄膜上。 2. 光刻技术-Photolithography 光刻的一般步骤 (a) 甩胶 spincoating； (b) 曝光 exposure； (c) 显影 development； (d) 刻蚀 etching； (e) 去胶 resist removal。 (a) (b) (e) (d) (c) (e) (d) (c) 2. 光刻技术 基片( 衬底): 硅, 玻璃,石英-- 光刻胶-photoresist 正胶:其感光部分能被适当的溶剂溶除而留下未感光的部分，所得的图形与光刻掩模图形相同 PMMA; DNQ( 由重氮醌酯(DQ)和酚醛树脂(N)构成）. 正胶对紫外光敏感，波长为220nm时具有最大敏感性。 正胶的去除： 在每个光刻工艺中都会用到光刻胶显影液，显影液通常为基本的水溶液，由有机胺（如 TMAH）或无机盐（如氢氧化钾）配制而成。大多数的正胶能用碱性溶剂如KOH,TMAH,丙酮或醋酸盐显影. 2. 光刻技术 光刻胶 负胶--其未感光部分能被适当的溶剂溶除，而感光的部分则留下，所得 的图形与光刻掩模图形相反； 两种组成部分的芳基氮化物橡胶光刻胶; Kodak KTFR . 负胶对光线和X射线不敏感，但对电子射线很敏感. 处理负胶最常用的溶剂是二甲苯. 正胶比负胶更能使图形的边界清晰,使其更适合于用作微型装置的高分辨率掩模. 2. 光刻技术 光刻胶的使用 基片清洗； 甩胶； 前烘； --- 以SU-8 2-25为例 2. 光刻技术 掩膜板 -mask 1、光透明物质 玻璃（近紫外光） 石英（深紫外光） 碳化硅或氮化硅（X射线） 2、金属光吸收图形（对光刻用光不透明） 铬（紫外光） 金（X射线） 2. 光刻技术 掩膜板 -mask 127mm 对准符号 对准符号 2. 光刻技术 光源 光刻胶对波长范围30