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第3章陶瓷粉末制备原理及工艺3.1粉末应具备的性能3.1.1化学性能1. 化学成分配比准确不同化学元素种类及其含量多少直接决定了陶瓷的性能。有些陶瓷要求成分配比尽量符合化学计量比,例如BaTiO3、SrTiO3等,当SrO过量时,会使烧结出现液相,导致二次重结晶;而当TiO2过量时,则会阻碍烧结。Li2TiO3在高温下具有NaCl型面心立方结构,其中Li+和Ti4+无序地分布在O2-离子晶格的八面体位置上。在原料配比时,若Li2O过量,形成Li2+4xTi1-xO3(0<x≤0.08),产生间隙Li+离子;若TiO2过量,形成Li2-4xTi1+xO3(0<x≤0.19),产生Li+离子空位。采用硼酸和炭黑在碳管炉内合成B4C粉末时,如果严格按反应式进行配料,则由于硼酸在高温下挥发损失严重,导致所合成B4C粉末中存在较多未参与反应的游离碳;如果炭黑过量太多,则会出现较多未参与反应的游离硼(即B2O3)。2. 粉末纯度高杂质的存在有时会大大影响陶瓷的性能,因此,高性能陶瓷对粉末纯度有很高的要求,希望粉末中的杂质越少越好,特别是不希望产生杂质的局部聚集现象。例如,如果Al2O3陶瓷中含有少量碱金属氧化物(Na2O、K2O等),则会对其绝缘性能产生非常不利的影响。金红石TiO2是一中高介电容器陶瓷,少量SiO2杂质的存在将使介电常数降低(图3-1),因而必须予以严格控制。图3-1 杂质SiO2对金红石TiO2陶瓷介电性能的影响又如,用于制造氧传感器的ZrO2-8mol%Y2O3(8YSZ)陶瓷中的SiO2杂质含量必须严格控制,否则过多的SiO2将导致可观的电子电导率而影响氧离子电导率的精确测定。UO2粉末中所有杂质含量总和应小于4000ppm,以保证核燃料的铀密度。F+Cl杂质总量要控制在350ppm以下,以免堆内辐照后包壳管发生应力腐蚀。并且要严格控制B、Gd、Hf等热中子吸收截面很大的杂质元素含量,以免因降低反应堆堆芯的热中子通量而影响裂变反应的进行。材料中如果有杂质相、气孔、不均匀晶粒晶界等微观结构,会引起光的散射,从而影响材料的透明度。Gd2O2S陶瓷闪烁体除了要烧结致密之外,还要求全部杂质含量控制在0.01%以下,否则将降低闪烁体的透明度而影响其发光强度和成象质量。Fe、O等杂质含量对AlN粉末的烧结工艺有很大影响;杂质的存在还会导致AlN晶格畸变和晶格波散射,从而降低AlN陶瓷的热导率。由于工艺考虑而特意加入的添加剂不能作为有害的杂质对待。例如,在AlN中加入2~3% CaF2,在1800℃烧结温度下CaF2与AlN表面的Al2O3反应形成低熔点的CaAl2O4液相,有利于促进AlN烧结致密化,从而得到高致密、均匀透明的AlN陶瓷。Al2TiO5陶瓷在20~1000℃温度范围内的平均热膨胀系数为1×10-6/K,热导率小于2W/mK,因此具有耐高温、抗热震、隔热等优良性能,可用于发动机的排气管和排气道的隔热材料、低压铸铝升液管、坩埚、过滤器、热电偶保护套管等。但Al2TiO5在1100~1150℃时产生剧烈分解,而且由于各向异性产生微裂纹而使强度降低。若加入少量Fe2O3、MgO等添加剂,不仅可以抑制Al2TiO5的高温分解(图3-2),而且可以降低烧结温度,促进烧结。图3-2 Fe2O3加入量对Al2TiO5高温分解率的影响3. 元素分布均匀如果化学元素成分分布不均匀,甚至出现严重的元素偏析现象,则会使局部区域的元素成分严重偏离平均配比值,常常造成局部熔点降低而在烧结时出现液相,促进晶粒生长,或导致二次重结晶,或局部难以烧结,使得陶瓷的致密度不高,显微组织不均匀,对粉末烧结及陶瓷性能产生不利影响。对于少量或微量掺杂来说,成分分布均匀尤其重要,否则就不能发挥掺杂效果。例如,将0.25%MgO(重量百分比)掺入到Al2O3中,可以起到促进Al2O3烧结致密化、防止出现二次重结晶的作用;但是,如果MgO分布不均匀,局部缺乏MgO的区域显然就达不到预期的效果。采用一般混合方法是很难达到均匀混合效果的,必须采用新技术新方法。例如,用三维运动混合机代替传统的V型混合机、锥型混合机或螺旋混合机等,混合效率将大大提高。另外,采用两步混合法也在实际生产中得到了广泛应用。还可采用超声波分散技术,或高剪切分散浮化机,将粉末分散悬浮在液体中,通过调节溶液pH值使粉末粒子的Zeta电位远离等电点,让粒子带上同种电荷,依靠静电排斥作用而达到稳定悬浮分散。为了进一步提高粉末悬浮液的分散效果,有时还加入表面活性剂,在粒子表面形成有机分子保护层,从而产生空间位阻作用。或者采用包裹沉淀法,即先将一种化合物粉末与另一种金属的盐溶液混合形成均匀分散的悬浮液,然后经化学沉淀反应、过滤、洗涤、干燥、煅烧等,就可以得到均匀分布的混合粉末。例如将Al2O3粉末与少量
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