第三篇 晶体结构缺陷.ppt

F-色心：由陷落于阴离子缺位区域处的准自由电子而形成的一种点缺陷 陷落在缺陷区域的自由电子或电子空穴也具有一系列分离的允许能级，这些允许能级相当于在可见光谱区域的光子能级，因而它们也就能吸收一定波长的光，这样材料就出现某种颜色。 阳离子间隙 常见于ZnO，CdO等晶体中，化合物分子式可写为Zn1+xO，Cd1+xO 产生原因：相应的金属离子蒸汽进入晶体的间隙位置 为了保持电中性，等价的电子被束缚在间隙阳离子的周围，这也是一种色心 同时还存在Zn蒸汽的氧化还原反应： 实验测得该直线的斜率为－1/4，证明氧化锌在锌蒸汽中加热形成单电荷间隙锌的方程是合理的、正确的 三、阴离子过剩（p型半导体） 阴离子间隙 目前可见于UO2晶体中，化合物分子式可写为UO2+x 产生原因： UO2具有萤石型结构，其中具有较大的立方体空隙，容易形成间隙阴离子，从缺陷形成的角度来看，可以认为是UO3在UO2中形成的固溶体 为了保持电中性，结构中会出现电子空穴，相应的正离子电价升高 阳离子缺位 常见于Cu2O、FeO，NiO等晶体中，化合物分子式可写为Cu2-xO、Fe1-xO、Ni1-xO等 产生原因（以FeO为例）： 从缺陷形成的角度来看，可以认为是Fe2O3在FeO中形成的固溶体 由于存在Fe2+的空位，为了保持电中性，需要2个Fe2+转变为Fe3+，即3个Fe2+被2个Fe3+和1个空位所代替 h? V-色心 第四节 线缺陷 Line Defects 一、位错的定义以及位错理论的产生 位错（Dislocation）：是一种线缺陷，它是晶体中某处一列或若干列原子发生了有规律错排现象；错排区是细长的管状畸变区，长度可达几百至几万个原子间距，宽仅几个原子间距 理想晶体的滑移模型 实际晶体的滑移模型 晶体的实际强度与理论强度之间的巨大差异，使人们对理想晶体模型及其滑移方式产生怀疑，认识到晶体中原子排列绝非完全规则，滑移也不是两个原子面之间集体的相对移动，晶体内部一定存在着很多缺陷，即薄弱环节，使得塑性变形过程在很低的应力下就开始进行，这种内部缺陷就是位错。动画演示的就是包含有位错的晶体的滑移过程 二、位错的基本类型和特征 刃型位错（Edge Dislocation） 定义：晶体中已滑移区与未滑移区的边界线（即位错线）若垂直于滑移方向，则会存在一多余半排原子面，它象一把刀刃插入晶体中，使此处上下两部分晶体产生原子错排，这种晶体缺陷称为刃型位错 刃型位错线：多余半原子面与滑移面的交线 刃型位错特征： （1）刃型位错有一个额外的（多余）半原子面。正刃型位错用“⊥”表示，负刃型位错用“┬”表示；其正负只是相对而言。 （2）刃型位错是直线、折线或曲线。它与滑移方向、柏氏矢量垂直。 （3）滑移面必须是同时包含有位错线和滑移矢量的平面，而位错线与滑移矢量互相垂直,所以它们构成平面只有一个。 （4）位错周围点阵发生弹性畸变，有切应变，也有正应变 （5）位错畸变区只有几个原子间距，是狭长的管道，故是线缺陷。 螺型位错（Screw Dislocation） 晶体中已滑移区与未滑移区的边界线（即位错线）若平行于滑移方向，则在该处附近原子平面已扭曲为螺旋面，即位错线附近的原子是按螺旋形式排列的，这种晶体缺陷称为螺型位错。 根据原子旋转方向的不同,螺型位错可分为左螺型和右螺型位错,通常用拇指代表螺旋前进方向，其余四指代表螺旋方向，符合右手法则的称右螺旋位错；符合左手法则的称为左螺旋位错 螺型位错特征： （1）无额外的半原子面，原子错排成轴对称，分右旋和左旋螺型位错； （2）一定是直线，与滑移矢量平行，位错线移动方向与晶体滑移方向垂直； （3）滑移面不是唯一的，包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面； （4）位错周围点阵也发生弹性畸变，但只有平行于位错线的切应变而无正应变，即不引起体积的膨胀和收缩； （5）位错畸变区也是几个原子间距宽度，同样是线位错。 混合型位错（Mixed Dislocation） 晶体中已滑移区与未滑移区的边界线（即位错线）既不平行也不垂直于滑移方向，即滑移矢量与位错线成任意角度，这种晶体缺陷称为混合型位错。混合型位错可分解为刃型位错分量和螺型位错分量，它们分别具有刃型位错和螺型位错的特征。 （1）形状：不一定是直线，位错及其畸变区是一条管道。 （2）是已滑移区和未滑移区的边界。 （3）不能中断于晶体内部。可在表面露头，或终止于晶界和相界，或与其它位错相交，或自行封闭成环。 三、位错的性质 四、柏氏矢量 (Burgers vector) 柏氏矢量的确定方法（避开严重畸变区） （1）?选定位错线的正方向(ξ)，一般选定出纸面的方向为位错线的正向。 （2）在实际晶体中作柏氏回路（Burgers circuit） （3）? 在完整