第九节 异质结e.ppt

第九章 异质结 由两种或两种以上不同半导体材料接触形成的pn结。 2、异质结能带图 3、异质结的应用 （1）提高少子的注入效率 （2）调制掺杂技术提高载流子的迁移率 （3）窗口效应 （4）异质结激光器 粒子数占据反转： 导带中存在有大量电子， 价带中存在有大量空穴。 4、考虑界面态时的能带图 5、半导体超晶格 由交替生长两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构，其薄层厚度的周期小于电子的平均自由程的人造材料。 制备方法： 分子束外延（MBE）-单原子的生长 金属有机化合物汽相淀积（MOVCD） 分类： （1）成分超晶格 周期性改变薄层的成分而形成的超晶格。 （2）掺杂超晶格 周期性改变同一成分的各薄层中的掺杂类型而形成的超晶格。（NIPI晶体） 子能带 * * 1、分类 （1）导电类型 ①反型异质结 p-n Ge-GaAs或 （p）Ge-（n）GaAs ②同型异质结 n-n Ge-GaAs或 （n）Ge-（n）GaAs ③双异质结 （n）Ga1-xAlxAs-（p）GaAs -(n）Ga1-xAlxAs （2）过渡区 ①突变结：过渡区小于1μm ②缓变结：过渡区大于1μm （3）能带结构的不同 GaAs AlxGa1-xAs 跨立型 GaAs1-xSbx InxGa1-xAs 错开型 GaSb InAs 破隙型 半金属 电子空穴分离 正向偏压 电子注入效率 n型宽禁带半导体和p型窄禁带半导体构成的异质结 主要是注入p型半导体中的电子电流 注入n型半导体中的空穴电流可忽略 p型宽禁带半导体和n型窄禁带半导体构成的异质结 提高空穴注入效率 npn晶体管 n 调制掺杂 + 场效应管频率特性 Eg1 Eg2 hv Eg2hvEg1 光电池 a1 a2 b c b c z *