第二节-晶体管.ppt

IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 放大时静态工作状态： （当ui=0时） 基极电源VBB使晶体管b-e间电压UBEUBE(on) 集电极电源VCC应足够高，使晶体管的集电结反向偏置，以保证晶体管工作在放大状态 ； 集电极电流IC=βIB c-e间电压UCE=VCC-ICRC 放大时动态工作状态： （当ui不为0时） 输入回路中，静态基础上产生动态的基极电流ib； 输出回路中，产生动态电流ic； 集电极电阻RC将集电极电流的变化转化为电压的变化，使得管压降产生变化 管压降uce的变化量就是输出动态电压uO 若电路参数选择得当，uO的幅度将比ui大得多，且波形形状相同，从而达到放大的目的 对各种物理量的表示方法作如下规定： 直流量：字母大写，下标大写，如：IB、IC、UBE、UCE。 交流量：字母小写，下标小写，如：ib、ic、ube、uce。 交流量的有效值：字母大写，下标小写，如：Ib、Ic、Ube、Uce。 瞬时值（直流量与交流量的叠加量）：字母小写，下标大写，如：iB、iC、uBE、uCE。 2.4.2 静态工作点的作用 2.5 放大电路的静态分析 2.5.1 由直流通路分析法估算静态工作点 总 结 ——输出特性曲线方程，由晶体管的特性决定 ——直流负载线方程，由电路特性决定 静态工作点为下面两条曲线的交点： 2.5.3 晶体管工作状态的判断方法 R B BB R E R C U CC 若UBB≤UBE(on) 且UBB＜UCC， 则晶体管截止 1、首先判断晶体管是否截止： 此时：IBQ=ICQ=IEQ=0， UBEQ=UBB，UCEQ=UCC。 2.再判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态： 若UBBUBE(on)，则发射结正偏， 下面关键是判断集电结是正偏 还是反偏。 ∵ UBB - UBE(on) =IBQRB+(1+β)IBQRE 则晶体管处于放大状态； 则晶体管处于饱和状态； ∴ ) E C R R + ( ) 1 ( ) ( CQ CC CEQ EQ BQ CQ E B on BE BB BQ I U U I I I R R U U I - = ? = + + - = b b 假设晶体管处于放大状态 R B BB R E R C U CC 晶体管处于饱和状态时： UCEQ 为饱和区压降平均值 例4 晶体管电路及其输入电压ui的波形如图14(a),(b)所示。已知β=50，试求ui作用下输出电压uo的值，并画出波形图。 R 3 3k U CC 5V R B 39k u i ＋ － ＋ － u o 图14 (a)电路 0 5 t u o / V 0.3 (c) uo波形图 0 3 t u i / V (b) ui波形图 R 3 3k U CC 5V R B 39k u i ＋ － ＋ － u o β=50 解:当ui=0时，UBE=0，则晶体管截止。此时，ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。 当ui =3V时，晶体管导通且有 假设管子工作在放大区，则 得出的结论与假设不符，因此管子进入因此管子进入饱和状态。 R 3 3k U CC 5V R B 39k u i ＋ － ＋ － u o 则 uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。 uo波形如c图所示。 补充例题1电路 补充例题1 晶体管电路如下图所示。已知β=100，试判断晶体管的工作状态。 5V R B U BB R E R C U CC 500KΩ 1KΩ 2K Ω 12V 1.先判断晶体管是否处于截止状态： ∴晶体管不处于截止状态； 2.再判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态： ∵ UBB - UBE(on) =IBQRB+(1+β)IBQRE 5V R B U BB R E R C U CC 12V ∴晶体管处于放大状态； 补充例题2电路 补充例题2 晶体管电路如下图所示。已知β=100，试判断晶体管的工作状态。 5V R B U BB R C U CC 50KΩ 2K Ω 12V 1.先判断晶体管是否处于截止状态： ∴晶体管不处于截止状态； 2.再判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态： ∵ UBB - UBE(on) =IBQRB 5V R B U BB R C U CC 12V ∴晶体管不可能处于放大区，而应工作在饱和区； 饱和时，c、e间的电压称为饱和压降，记作UCE(sat)。 （小功率Si管） UCE(sat) = 0.5V||0.3V(深饱和)； （小功率Ge管） UCE(sat) = 0.2V||0.1V (深饱和)。 三个电极间的电压很小，各极电流主要由外电路决定。