第三章 半导体中电子状态.ppt

1. 二元化合物的能带结构 2. 混合晶体的能带结构 要使方程组有解，相应行列式须为零，即： 当交变电磁场频率ω等于回旋频率ωc时，就能观测到共振吸收，从而可计算出的电子的有效质量。 为能观测出明显的共振吸收峰，就要求样品纯度高，低温，交变电磁场的频率在微波或红外光的范围。 3-6 硅和锗的能带结构 硅和锗的导带结构 如等能面是球面（mn*各向同性），改变磁场方向时只能观察到一个吸收峰；如沿kx,ky, kz三个方向mn*各不相同，则有三个吸收峰，或者说有几个吸收峰就有几个有效质量。 n型Si和Ge，B 沿[111]晶轴方向，有一个吸收峰；沿[110]晶轴方向，有二个；沿[100]晶轴方向，有二个；沿任意晶轴方向，三个。 为解释上述结果，提出的模型认为：硅导带极小值在[100]方向上，其等能面是沿[100]方向的旋转椭球面，长轴与[100]方向重合。根据硅晶立方对称性要求，共有六个旋转椭球面，电子主要分布在这些极值附近。 ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - B k1 k2 [001] k3 以沿[001]方向的旋转椭球面为例，选取适当坐标系： ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - k1 k2 k3 取Ec为导带底能量零点，以k0s为坐标原点。 k1,k2有效质量相同 其中mx*=my*=mt， mz*=ml。分别称为横向有效质量与纵向有效质量。据试验得出硅的mt，ml分别为： mt，ml代入有效质量公式： 若B位于k1，k3平面内，且与k3轴交θ角，则方向余弦α、β、γ分别为： α=sinθ，β=0 ， γ=cosθ B k1 k2 [001] k3 若B沿[111]方向，即立方晶格体对角线方向，其与kx、ky、kz夹角相同，即cosθ=(1/3)1/2： θ kz kx ky 由ω=ωc=qB/mn*，可知由于mn*只有一个值，改变B只能观察到一个吸收峰。 kz kx ky B 若B沿[110]方向，此时B与[100]，[100]，[010]以及[010]方向的夹角相同：cosθ=(1/2)1/2；与[001]和[001]方向夹角为：cosθ=0。 - - - 测得两个不同的mn*值，改变B可观察到两个吸收峰。 不引入新坐标 k1、k2、k3，通过坐标平移解释磁场入射方向不同时出现为数不等的吸收峰，也即有多个有效质量的问题。 ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - kz kx ky B kx kz ky B α=(1/2)1/2,β=(1/2)1/2,γ=0； mx*=ml，my*=mz*=mt ； B沿[110]方向 mn*=mt[2mt /(mt+ml)]1/2 [100]及[100]方向有效质量： - ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - kx kz ky B α=(1/2)1/2,β=(1/2)1/2,γ=0； my*=ml，mx*=mz*=mt ； mn*=mt[2mt /(mt+ml)]1/2 [010]及[010]方向有效质量： - B沿[110]方向 ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - α=(1/2)1/2,β=(1/2)1/2,γ=0； mz*=ml，mx*=my*=mt ； mn*=(mt ml)1/2 [001]及[001]方向有效质量： - kx kz ky B ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - kx kz ky kz kx ky B α=1,β=0,γ=0； mx*=ml，my*=mz*=mt ； [100]及[100]方向有效质量： - B沿[100]方向 mn*=mt ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - kx kz ky kz kx ky B α=1,β=0,γ=0； my*=ml，mx*=mz*=mt ； mn*=(mt ml)1/2 [010]及[010]方向有效质量： - ● ● ● ● ● ● [010] [010] [100] [100] [001] [001] - - - kx kz ky kz kx ky B α=1,β=0,γ=0； mz*=ml，mx*=my*=mt ； mn*=(mt ml)1/2 [001]及[001]方向有效质量：