侧向光伏效应研究.docVIP

请将电子版打印出来，仔细阅读，不懂之处用笔标记上，这样才算写了预习报告。老师将根据认真程度给预习分 侧向光伏效应研究 实验类型：近代光学设计性实验 实验地点：实训中心2号楼1楼2123教室 实验日期：第9-12周（第一轮），每周 （例如周五）节次 （例如34节） 学生姓名： 学号： 手机号： Email: 目的要求 测量金属-氧化物-半导体Ni–SiO2–Si的侧向光伏随激光扫描点的变化关系。 实验要求达到： 理解光侧向光伏效应的现象与形成机制 测量侧向光伏随激光扫描点X、Y坐标的变化关系 学会用Origin软件进行数据分析与绘图 计算出位置灵敏度、线性相关系数 实验原理 侧向光伏效应是指在点照明下，在PN结、金属半导体结、半导体异质结的同一面接上外路电压而测得的光伏效应，如图1所示。 图半导体结Ni–SiO2–Si侧向光伏产生原理 位置的变化： （1） 其中K0为比例系数L为电极d为电子散射波长。 图2 侧向光伏 实验装置 实验设备主要有：半导体激光器、小孔、凸透镜（焦距26毫米）、直尺、万用表、三维微位 移平台、金属-氧化物-半导体（Ni–SiO2–Si）Ni–SiO2–Si的表面。Ni–SiO2–Si的硅衬底背面两只铟电极A、B上粘两根细铜丝导线，分别连接到接线板上的红、黑接线柱上，细铜丝导线重量很轻，以防止拽脱落铟电极。 图3 侧向光伏的测量装置 红表笔的一端插在万用表的红色插孔VΩ中，另一端插在接线板的红色接线柱内（与电极A相连）。黑表笔的一端插在万用表的黑色插孔COM中，另一端插在接线板的黑色接线柱内（与电极B相连）。 Ni–SiO2–Si片固定在位移平台上，用电脑控制位移平台移动（切勿用手拧步进电机使其转动），激光点就会在Ni–SiO2–Si片上扫描。 实验步骤、数据记录（红色下划线为要求记录或计算的数据） 设置三维位移平台的控制软件SC300 运行SC300软件，进行电脑与设备的连接。下拉菜单“运行→连接”， 默认是COM1→点击确定，此时基本设置和基本控制栏内会倒入SC300的内部默认参数。 设置螺距：下拉菜单“设置→电移台参数→” 将X 轴pitch（螺距）选项中默认的4（单位：mm）改为1（单位：mm）→点击Apply→ 将Y轴的 pitch（螺距）选项中默认的4（单位：mm）改为1（单位：mm）→点击Apply→点击OK。 将Z轴的默认选项Rotate（转动）改为motor(移动），并将Z轴的pitch（螺距）选项中默认的4（单位：mm）改为1（单位：mm）→点击Apply→点击OK 以上设置完成，就可以控制平台进行移动。想让X轴电机运动，在界面上将按沉下去；想让Y轴电机运动，在界面上将按沉下去；想让Z轴电机运动，在界面上将按沉下去。然后在软件界面上输入要求步进电极转动的步数（Step）。步进电机转动1600 Step，平台直线运动1毫米。步进电机每步转动使平台直线运动0.625微米。实验中，不必使平台每次移动这么小的精度，否则测量的数据点太密集。按“+”：使平台往靠近电机方向运动; 按“—”：使平台往远离电机方向运动。 （2）激光聚焦： 将凸透镜的磁性表座旋转到“OFF”，释放表座，表座的磁铁不吸钢桌面。 移动凸透镜靠近Ni–SiO2–Si片。同时用电脑控制三维平台Z方向移动。凸透镜的磁性表座与三维平台之间拧了5只阻挡螺丝，只要磁性表座不越过5只阻挡螺丝，三维平台前进时就不会撞上凸透镜。 调整Ni–SiO2–Si片与凸透镜的距离，用直尺测量Ni–SiO2–Si片与凸透镜的间距大致为26毫米左右（凸透镜焦距），使激光聚焦点尽可能的小，以提高扫描精度。 调整好各器件的位置后，将磁性表座旋转到“ON”，固定在钢桌面上。 请老师用激光功率计测量下照射在Ni–SiO2–Si表面的激光功率是否为3毫瓦。 （3）寻找电极点，确定电极间距 将红表笔插入万用表的红色插孔VΩ中，将黑表笔插入万用表的黑色插孔COM中。万用表请打到直流 200 mV档。 用电脑控制平台移动，使激光照射到A′点（其背面是电极A）附近，微移动平台的X位置，寻找最大的电压。再微移动平台的Y位置，寻找最大的电压UAB(max)= mV。 图4 光照A电极 记下此时电控箱面板上显示的A′点的坐标，X= Step，Y= Step。 继续用电脑控制平台移动，使激光照射到B′点（其背面是电极B）附近时，会发现侧向光伏从正最大值变成0，再变成负值。在B′点附近，用电脑控制步进电机微移动平台的XY，移动量100 Step或更小，寻找最小的电压