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步 骤： ③利用 的环路定理计算 物 质 磁化电流（大量分子磁效应的等效表示） 各电子的自旋磁矩靠交换偶合作用使方向一致， §9.5 铁磁质（ferromagnetic substance） 一. 磁畴（magnetic domain） 从而形成自发的均匀磁化小区域 — 磁畴。 铁磁质中起主要作用的是电子的自旋磁矩。 未加磁场 在磁场 B 中 各种材料磁畴线度相差较大： 磁畴体积约为10-6(mm)3， 一个磁畴中约有1012~1015个原子。 易磁化方向由晶体结构决定。 磁畴磁矩沿某个易磁化方向(direction of easy 所有的磁畴为什么不形成一个磁化整体呢？ N S N S 静磁能高 交换能低 N S S N 静磁能低 交换能高 矛盾因素协调平衡，才使铁磁体整体能量最低。 magnetization)排列。 从10-3m 到10-6m， 一般为 10-4~10-5m， 二 . 铁磁质的磁化规律 铁磁质 关系非线性， 也不单值， 形式上表示为 也不唯一。 1. 起始磁化曲线 由此可得到B ~ H曲线： 试件 磁通计 n S I0 ? I0 ?i — 起始磁导率 ?m — 最大磁导率 巴克豪森效应（Barkhausen effect） BN跳跃 跃变 放大 B～H BS B ? ～H H 0 S c b a 金相结构分析， 测晶粒度、 且是无损探测、 快捷简便。 杂质分布、 应力分布， ?， BS — 饱和磁感强度（saturation magnetic induction） 可用作 磁滞回线 H Hc -Hc S BS Br B -BS -Br 0 2.磁滞回线（hysteresis loop） B落后于H的变化，称为磁滞现象。 Br— 剩余磁感强度 （remanent magnetic induction） Hc— 矫顽力（coercive force） 磁滞是由于晶体缺陷和内应力、 “磁滞损耗” （hysteresis loss） 正比于B~H 回线所围的面积。 以及磁畴在外磁场减退时， 沿易磁化方向排列而造成的。 就近 三 . 硬磁和软磁材料 1. 硬磁材料 （hard magnetic material） 特点： 磁滞损耗大， 适合制作永久磁铁、 碳钢、钨钢 H Hc B B Br 也大， 磁芯（记忆元件）等。 Hc大 （102A/m）， 一般Hc 为104-106A/m， 一般为103-104 G。 磁滞回线“胖”， “矩磁材料” B Br Hc H -Hc -Br Br -Br “0” “1” 可作记忆元件 2. 软磁材料（soft magnetic material ） Hc小（102A/m）， 磁滞回线“瘦”， 磁滞损耗小， 适于制作交流电磁铁、变压器铁芯等。 演示 磁滞回线（KD044） 纯铁、硅钢 H B Hc Br 坡莫合金 (Fe78%、Ni 22%) 用于电子设备 H B Br Hc 特点： 一般约Hc 为1A/m 。 四.居里点（Curie point） （自发磁化减弱） （磁畴瓦解，表现顺磁性） Tc是失去铁磁性的临界温度，称“居里点”。 Fe ：Tc = 767℃ Ni ：Tc = 357℃ Co ：Tc = 1117℃ 演示 居里点（KD045） 五 . 磁致伸缩 — 磁致伸缩。 长度相对改变约10-5量级， 温下可达10 -1； 某些材料在低 磁致伸缩有一定固有频率， 化频率和固有频率一致时，发生共振， 当外磁场变 可用于制作激振器、超声波发生器等。 六 静磁屏蔽 精密探头、显象管…都需要磁屏蔽 屏蔽罩：铁磁质包围的空腔 说明： 屏蔽效果没有电路好，有不少的漏磁。 为达到更好的磁屏蔽效果，可采用多层屏蔽的方法 B内 R2 R1 铁管（?板面） ▲ 静磁屏蔽 计算表明： 屏蔽系数 若 ?r = 4000 R2 = 10cm t = 1cm时， k = 0.5% t = 0.1cm时，k = 5% 则 * 磁畴图象 第九章 磁场中的磁介质 ?§9.1磁介质对磁场的影响 §9.3 磁介质的磁化 §9.4 H的环路定理 §9.5 铁磁质 §9.6 简单磁路 §9.2 原子、分子的磁矩 本章目录 ?§9.1 磁介质对磁场的影响 磁介质（magnetic medium）是能够影响磁场分布的物质。 传导电流 ， 介质磁化 均匀各向同性介质 有： μr ─相对磁导率 （relative permeability） I0 I0 均匀各向同性磁介质 长直密绕螺线管 总磁感强度 充满磁场所在空