第2章 半导体材料的电学性能.ppt

1.4 半导体材料导电性 1. 半导体材料概况 (2) 依据电子参与成键情况 本征半导体 所有外层电子都成键；所有结合键上电子都满额 掺杂半导体 － N型： Si(As,P) － P型： Si(B,Al,Ga) (1) 依据化学组元个数，分为 元素半导体－Si、Ge 化合物半导体－ III-V族 GaAs, InSb, InP 等 II-VI族 CdS, CdTe, ZnO等 (Ga1－xAlx)As, HgCdTeS等 1. 半导体材料概况 掺杂半导体 － N型： Si(As,P)，多余电子 － P型： Si(B,Ga)，多余空穴 结构特征：代位式固溶体 1. 半导体材料概况 光学应用－激光器等 GaAs, InSb, InP等 (3) 主要用途 微电子技术应用： Si、Ge基半导体为主 信息处理的基础 信息传输的基础，信息存储 信息技术基本环节： 产生—处理(微电子技术，计算机)—传输(激光载体，光纤)—存储(光、磁存储，光盘、磁盘) 光电信号转换的基础 信息技术中光电转换： 光电导 (1)温度敏感性：对于温度非常敏感，本征导电性随温度升高呈指数规律增强 (2)杂质敏感性：异常敏感，是所有材料性能中对于杂质(或掺杂)最敏感的性能 (3)光照敏感性：受电磁波辐射(波长小于吸收限的所有电磁辐射，包括可见光、甚至近红外线)，导电性大幅度增加，具有光致导电效应 (photoconductivity) 载流子情况： 导带电子n＋价带空穴p 电导率理论公式： 本征半导体中，价带电子激发到导带中而产生载流子，故 n＝p 掺杂半导体中受掺杂的影响：N型半导体中以导带电子为主要载流子；而P型半导体中以价带空穴为主要载流子  = ph e ＋ n e e 2.半导体的导电性特征 3.半导体结构与能带特征 晶体结构特征： 维持键合特点，保持原子比例，使平均价电子数为4； 掺杂原子代位固溶；掺杂量很少，保持基体结构不变； 纯度极高 晶体缺陷极低 材料制备—— 超常规条件与技术 超净室技术 区域熔化提纯技术起源 单晶体生长技术—— 完全消除晶界 低位错密度晶体生长技术 离子注入合金化技术/快速扩散掺杂 半导体材料能带特征 大小随温度升高小幅降低 固溶体可以调节 掺杂半导体有掺杂能级 能带间隙： Eg ＝ EC − EV 价带、导带及能带间隙 间接带隙与直接带隙半导体 电子有效质量 能带底部电子有效质量m* 0 ， 电子有效质量me =m* 能带顶部电子有效质量m* 0 空穴有效质量mh 等于电子有效质量的负值，即mh ＝－m* 描述周期势场中电子的运动，固依据电子能量与波氏的关系确定 有效质量定义： 半导体的电子有效质量与状态密度 2.能态密度 3. 借助于有效质量可以用经典力学形式描述电子的运动: f = m*a 1. 电子的有效质量依据其能量随波矢变化曲线的不同，可以具有不同的质量，也不同于电子的静止质量m0 导带底部 价带顶部 半导体的电子有效质量与状态密度 4. 能带顶部 m* 0 f = m*a = -eE 电子沿电场方向加速—空穴运动 — 表现为正电荷的行为；实际上是电子以接力方式完成空穴沿着电场方向的位移。人为地看作带正电的空穴的移动 — 空穴带单位正电荷 半导体的载流子体积密度 载流子体积密度 热平衡载流子的分布 NCe ＝ 4.82x1021(me/m0) 3/2·T 3/2 本征半导体的导电性 本征半导体导带电子全部来自于价带 n = p = (NCeNVh )1/2exp(−Eg/2kT) 室温下本征载流子体积密度 Si：1.5x1016 1/m3；Ge：2.5x1019 1/m3 载流子数量是半导体导电性限制性因素，是首要关注因素 本征载流子体积密度随着温度呈指数规律升高，使导电性也指数升高 比较—金属Cu 参与导电电子 ~1022 m-3 (E=100V/m时) 所拥有的自由电子 ~1028 m-3 1. 本征半导体载流子密度 本征半导体导电性及随温度变化 3. 本征半导体电导率随着温度升高呈指数规律增加 4.通过检测电导率随温度的变化可以确定本征半导体的能带间隙Eg  = ph e ＋ n e e 掺杂半导体中的载流子与导电性 1. N(或P)型半导体能带结构 本征半导体中掺入高(或低)价掺杂形成代位式固溶 如：Si中掺入P、As(或B、Al)等 形成局部的类氢原子结构—类氢能级(需考虑基体的介电率) 掺杂能级 N型半导体 — 施主能级 P型半导体 — 受主能级 掺杂能级的基态能量为 掺杂半导体中的载流子与导电性 N型半导