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材料常用制备方法晶体生长技术1．熔体生长法【melt growth method】（将欲生长晶体的原料熔化，然后让熔体达到一定的过冷而形成单晶）1.1 提拉法特点：a. 可以在短时间内生长大而无错位晶体b.生长速度快，单晶质量好c.适合于大尺寸完美晶体的批量生产1.2坩埚下降法特点：装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场，开始时整个物料熔融，当坩埚下降通过熔点时，熔体结晶，随坩埚的移动，固液界面不断沿坩埚平移，至熔体全部结晶。1.3 区熔法特点：a.狭窄的加热体在多晶原料棒上移动，在加热体所处区域，原料变成熔体，该熔体在加热器移开后因温度下降而形成单晶b.随着加热体的移动，整个原料棒经历受热熔融到冷却结晶的过程，最后形成单晶棒c.有时也会固定加热器而移动原料棒1.4焰熔法特点：a.能生长出很大的晶体（长达1m）b.适用于制备高熔点的氧化物c.缺点是生长的晶体内应力很大1.5 液相外延法优点：a.生长设备比较简单；b.生长速率快；c.外延材料纯度比较高；d.掺杂剂选择范围较广泛；e.外延层的位错密度通常比它赖以生长的衬底要低；f.成分和厚度都可以比较精确的控制，重复性好；操作安全。 缺点：a.当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生长困难；b.由于生长速率较快，难得到纳米厚度的外延材料；c.外延层的表面形貌一般不如气相外延的好。2. 溶液生长法【solution growth method】(使溶液达到过饱和的状态而结晶)2.1 水溶液法原理：通过控制合适的降温速度，使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度，从而结晶2.2 水热法【Hydrothermal Method】特点：a. 在高压釜中，通过对反应体系加热加压（或自生蒸汽压），创造一个相对高温高压的反应环境，使通常难溶或不溶的物质溶解而达到过饱和、进而析出晶体 b. 利用水热法在较低的温度下实现单晶的生长，从而避免了晶体相变引起的物理缺陷2.3 高温溶液生长法（熔盐法）特点：a.使用液态金属或熔融无机化合物作为溶剂b.常用溶剂：液态金属液态Ga（溶解As）Pb、Sn或Zn（溶解S、Ge、GaAs）KF（溶解BaTiO3）Na2B4O7（溶解Fe2O3）c.典型温度在1000C左右d.利用这些无机溶剂有效地降低溶质的熔点，能生长其他方法不易制备的高熔点化合物，如钛酸钡BaTiO3二．气相沉积法 1. 物理气相沉积法 (PVD)【Physical Vapor Deposition】1.1 真空蒸镀【Evaporation Deposition】特点：a.真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面；b.常用镀膜技术之一；c.用于电容器、光学薄膜、塑料等的镀膜；d.具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜分类：电阻加热法、电子轰击法1.2 阴极溅射法（溅镀）【Sputtering Deposition】原理：利用高能粒子轰击固体表面（靶材），使得靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面，然后在基片（工件）的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。分类：二极直流溅射【Bipolar Sputtering】高频溅镀【RF Sputtering】磁控溅镀【magnetron sputtering】1.3 离子镀【ion plating】特点：a.附着力好（溅镀的特点）b.高沉积速率（蒸镀的特点）c.绕射性d.良好的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性2. 化学气相沉积法（CVD）【Chemical Vapor Deposition】按反应能源：2.1 Thermal CVD特点：a.利用热能引发化学反应b.反应温度通常高达800~2000℃c.加热方式电阻加热器高频感应热辐射热板加热器2.2Plasma-Enhanced CVD (PECVD)优点：a.工件的温度较低，可消除应力；b.同时其反应速率较高。缺点：a.无法沉积高纯度的材料；b.反应产生的气体不易脱附；c.等离子体和生长的镀膜相互作用可能会影响生长速率。2.3 Photo CVD特点：a.利用光能使分子中的化学键断裂而发生化学反应，沉积出特定薄膜。b.缺点是沉积速率慢，因而其应用受到限制按气体压力：2.1常压化学气相沉积法（APCVD）【Atmospheric Pressure CVD】特点：a.常压下进行沉积b.扩散控制c.沉淀速度快d.易产生微粒e.设备简单2.2 低压化学气相沉积法（LPCVD）【Low Pressure CVD】特点：a.沉积压力低于100torrb.表面反应控制c.可以沉积出均匀的、步覆盖能力较佳的、质量较好的薄膜d.沉淀速度较慢e.需低压设备三．溶胶-凝胶法【Sol-Gel Process】（通过凝胶前驱体的水解缩合制备金属氧化物材料的湿化学方法）优点：a.易获得分子水平的均