Limitation of the Selfassembling Property of BEDOTTF的自组装性bedottf限制.docVIP

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2018-06-19 发布于福建
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Limitation of the Selfassembling Property of BEDOTTF的自组装性bedottf限制.doc

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Limitation of the Selfassembling Property of BEDOTTF的自组装性bedottf限制

(主表 1/17) BEDO-TTF(BO)塩(錯体) 対成分組成 (BO) : (A) : (solv) BO上の電荷錯体形状結晶構造? (Scm-1) S: 単結晶 P: ペレット ?max (Scm-1) T at ?max (K) [測定最低温度: *] 転移等の記述、その他のデータ、及び、注釈文献 I3 2.4 : 1 0.417 I3-型 Rrt/R1.2K = 275 1.2 * supplementaryに原子座標(平均構造) 3 Rrt/R1.2K = 275 1.2 * ESR(T~?, ?H) T~TEP 7 S 100 - 280 Rrt/R1.2K = 250 1.2 * ESR(T~?, ?H) T~TEP 6 I3-型 composite crystalとして構造解析 11 I3-型 composite crystalとして扱った時と、平均構造として扱った時の、それぞれのバンド構造 12 plates S 20 1.5 * 13 バンド計算 58 2+x : 1 x = 0.2 0.455 (?) greenish lustrous needles 2.4:1塩と格子定数一致Ｐ 55 20 THF中で、BOをI2酸化 59 1 : 1 1.0 black plates その他のデータ参照 P 1(10-6 (Ea = 0.43 eV) CH3CN中で、BOをI2酸化原子座標あり BO二量体とI3の混合層とI3の作る陰イオン層が交互に積層バンド計算有り静磁化率: gap 0.11 eVのsinglet-triplet型 59 1 : 2 2.0 black plates その他のデータ参照 S 10-9 CH3CN中で、BOをI2酸化原子座標あり BO-I3-I3がカラム構造形成静磁化率: 2-350 Kで反磁性的 59 I 1 : 10-y y = 0.4-0.5 ( 2.0 black hexagonal rods S 8(10-7 CH3CN中で、BOをI2酸化静磁化率: 2-300 Kで反磁性的 59 IBr2 S 253 7 (主表 2/17) BEDO-TTF(BO)塩(錯体) 対成分組成 (BO) : (A) : (solv) BO上の電荷錯体形状結晶構造? (Scm-1) S: 単結晶 P: ペレット ?max (Scm-1) T at ?max (K) [測定最低温度: *] 転移等の記述、その他のデータ、及び、注釈文献 Cu(NCS)2 S 300 7 Cu2(NCS)3 3 : 1 0.333 small black cryst. ?m (I3-型) 超伝導転移: 1.06 K (rf侵入長のonset) ESR(T~?)の記述、バンド計算有り 5 ESR(T~?H) 16 超伝導転移 ?ac onset 1.1 K mid point 0.6 K ?測定では 1.5 K THP記述あり 28 バンド計算 58 CuCl2 plates S 170 150 * 150 * 13 CuBr2 plates S 500 13 CuI2 P 0.19 7 Ag(CN)2 2.5 : 1 0.40 (?) S 80 この組成は恐らく誤っている。文献53参照 7 2 : 1 0.50 needle-shaped (a-軸が針方向) twined crystalのまま構造解析原子座標あり結晶作成はWudl 53 AuBr2 S 80 7 2 : 1 0.50 S [60] [68] 263 [263 Kで穏やかに半導体化] Eg = 0.12 eV (220-80 K) 格子定数、空間群の記述有り。 8 thin plate twined along (010) faces I3-型 S 68 260 MI転移 Ea = 0.07 eV (220-80 K) 原子座標 ESR(T~?, ?H) 但し、260 Kでは異常なしバンド計算(1D FS) 9 バンド計算 58 (主表 3/17) BEDO-TTF(BO)塩(錯体) 対成分組成 (BO) : (A) : (solv) BO上の電荷錯体形状結晶構造? (Scm-1) S: 単結晶 P: ペレット ?max (Scm-1) T at ?max