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用于光学涂层的离子辅助反应淀积工艺 ,箭士五雾强卢.一1前言u扩争尸 反应蒸发法制备的膜层,其显微结构取决于初始材料和蒸发条件.如果淀积时基底温度 低,薄膜是柱状结构,密度和硬度都低,对基底的附着力差.这类薄膜解吸水汽会改变其折射 率和其它光学性质. 要得到高质量的光学涂层,应使用离子或等离子源.本文论述了近代反应蒸发工艺的几 个最重要的发展进程,对于涂层的光学性质给予了特殊的关注. 2离子辅助淀积(IAD) 在进行IAD以及相似工艺时,反应气体的高能离子和原子常常与涂层材料在基底上碰 撞.IAD和其它离子或等离子技术所产生的四种最重要的物理过程由表1给出.能量范围 1的离子对膜层的生长是起决定性作用的.正如计算表明的那样,l柱状结构和孔隙实际上受 凝结分子迁移率的影响.能量范围2的离子轰击会使吸附的杂质(例如H.O)产生解吸附或 原子化.在淀积之前,这些能量常常用来清洗基底表面,在这一过程中基底表面将被加热.能 量范围3的离子主要用于IAD,在这种情况下所制备膜层的附着力,填充密度及化学组成将 达到最佳.这当中存在着俘获,穿透,包括导致溅射向后运动的反冲位移,重薪凝结,混合,缺 陷的产生以及使其均匀化的一种复杂西同作用过程.关于这些作用过程更详细地论述已有 报道..能量范围4的离子,随其能量的增加则会使所淀积的膜层部分地产生再溅射,因此 会使膜层的凝结速率下降.此时分子的离解也增加,尤其是对具有低结合能的化合物的影响 就更为严重.由此可见,为了获得具有低光学吸收损失的理想化学计量的薄膜,必须应用能 量范围l～3的离子.图1表明对于氧化物膜层吸收的两种效应(构成效应,反构成效应)的 影响是迭加的.即淀积膜层的活化能使其吸收减小,当增加离子的能量时膜层分子离解的可 能性电增加,随之使膜层的吸收也增大.离子能量与活化能或离解能之问的关系决定离子轰 击的效率.因此对于任何材料和工艺,只有在一定范围内的离子能量所制备的膜层才是最住 144光电子技术第16卷 的.文献报道表明,对于SiOz和TiO薄膜 的光学质量(薄膜的化学计量和密度)的改善, 用30eV的离子轰击比用500eV的离子轰击 的效果好.而这种光学质量的改善对TiO薄 膜来说比sj薄膜更为显着. 垂 督 扑 离子能量E 图1用lAD淀积的氧化物膜层的光学吸收 与离于能量同的函数关系 E激活能E.离解能 对于IAD适用的离子源必须满足如下 要求:(1)低离子能量高离子束流;(2)所用的 灯丝,栅极或其它元件不应污染膜层;(3)不 与反应气体作用的离子.图2给出了一种低 能高束流离子源离子是在阳极筒中由电子 碰撞而产生的,应用永久磁铁可以大量增加 阳极因筒中的离子化碰撞.用80A的放电电 流,所测得的离子束流高达5A.由于等离子 体云的作用,使碰撞于器壁和基底上的离子 能量下降至15~20eV. 基底载盘 ,, lO— l 兰 lo一 糕 耋 1o 圈2低能高柬流离干源 1OO2003OO 基底温度/℃ 磁铁 图3在514nm波长处TI薄膜的吸收指数与 基底温度间的函数关系 用TiO作为初始膜料研究表明,在未加 热的基底上以平均0.3mA?cm的离子束流密度轰击所淀积的TiO.薄膜的吸收减少 99,而当淀积在300℃基底上时,其吸收则只减少90(见图3).目前IAD通常使用的是 具有灯丝或等离子体阴极的考夫曼(Kaufman)离子源,另外还有射频离子源(r.f)(图4),冷 阴极离子源以及无栅极离子源也在大量应用.表2给出了4种类型离子源的特点.为了在 低能下获得高离子产额,Kaufman离子源或射频离子源必须用一个或三个栅极才能工作,最 后的栅极是用于切断由等离子体提取离子的. 第2期钟迪生:用于光学潦层的离子辅助反应淀积工艺l45 表1不同能量的粒子轰击表面所5I起的物理过程 离子能量(eV)物理过程 1×10～1×10 1×10_.～10 1O～50 100以上 原子和分子的表面迁移被活化 吸附的表面层(杂质)的解吸附作用 气体和豫层材料的穿透和浮获,使膜层具有良好的附着力和密度 基底和豫层材料产生溅射 图4射频离子束源 表2IAD技术中使用的4种宽柬离子源的特点 146光电子技术 为了从磁控型冷阴极离子源(图5)获得 低能离子,应在300~1600V电压下工作,该 离子源所加的为负偏压.与产生单能离子的 Kaufman离子源和射频枪离子源大不相同, 冷阴极离子源和无栅极离子源(躅6)的能谱 是宽的.关于IAD每年全世界大约发表75 篇论文,因此对于这种技术进行详细地讨论 是困难的然而,与不用离子轰击的通常淀积 技术相比,IAD所制备膜层的晟重要改进可 归结为如下三点:(1)涂层具有较高的填充密 度,导致涂层具有较高的折射率,涂层具有较 高的硬度,由于降低了涂层内表面的面