ErMnCo共掺杂BiFeO3薄膜的制备多铁性能研究.doc

Er、Mn、Co共掺杂BiFeO3薄膜的制备及多铁性能研究 摘 要 BiFeO3是目前在室温条件下同时具有铁电性和寄生弱铁磁性的铁电磁体材料之一，具有高的铁电居里温度（Tc~850 ℃）和反铁磁尼尔温度（TN~370℃）。在磁电传感器，集成电路，自旋电子器件，存储器等方面有广泛的应用前景而得到关注。 采用溶胶-凝胶法，以BiNO3)3·5H2O、FeNO3)3·9H2O、CoNO3)2·6H2O、C4H6MnO4·4H2O和ErNO3)3·5H2O为原料，在FTO/glass基底上制备出Bi1-xErxFeO3、Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3、Bi0.9Er0.1Fe0.98-xCo0.02MnxO3和Bi1-xErxFe0.96Co0.02Mn0.02O3薄膜。通过XRD，SEM，Agilent E4980A，TF 2000 Analysis 及Agilent B2901A测试对BiFeO3薄膜的物相、微观形貌、介电性、铁电性和漏电流等进行了表征和研究。得出以下结论： 在Bi1-xErxFeO3薄膜中，Er掺杂量大于10%时，薄膜中有少量杂相出现。掺杂量为10%时，薄膜电滞回线饱和度增加，这些预示着在掺杂量为10%时，薄膜将有较好的铁电性能。而在介电测试中介电常数随着Er掺杂量的增加而增加，在掺杂量为10%时突然下降。Bi1-xErxFeO3薄膜的介电损耗在掺杂量为10%时最小，漏电流密度在电场场强大于200kV/cm时，x=0.10的薄膜漏电流最小。 在Er、Co共掺薄膜中，当共掺Er10%，Co2%时，薄膜的铁电性能最好，727kV/cm的电场下，剩余极化值Pr为97.04μC/cm2，矫顽场Ec为404kV/cm。这与XRD测得随着Co掺杂量的变化，主峰除了在掺杂量为2%时向左偏移，其余均向右偏移；其介电常数也在掺杂量为2%时最大相对应。Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜的漏导电流比未掺杂Co离子的薄膜小，表面相貌随着Co离子的掺杂，晶粒均匀且致密，有利于畴的反转，薄膜多铁性能提高。 Er、Co、Mn共掺杂BiFeO3薄膜中，随着Er或Mn掺杂量的改变，薄膜的铁电性在掺杂10%Er、2%Co和2%Mn时最好。在1000kV/cm的电场下，薄膜的剩余极化值Pr为95.35μC/cm2，矫顽场Ec为461kV/cm。在Mn掺杂量改变时，薄膜的主峰随着Mn掺杂量的增加向左偏移，同时104)和110)有合并的趋势，这主要是因为Mn的掺杂引起的晶体结构畸变。在Er、Co、Mn共掺中，薄膜的晶粒尺寸增大，晶界减少。此时薄膜的漏导主要受晶界的影响，漏导减小近一个数量级。Er掺杂量改变，薄膜在掺10%Er时，晶粒尺寸较大，晶界少。这将有利于薄膜内畴的反转，铁电性能的提高。 关键词：BiFeO3，薄膜，掺杂，介电性，铁电性，sol-gel Study on the multiferroic properties of the Er, Co, Mn) co-doped BiFeO3 thin films ABSTRACT As a perovskite multiferroic material, BiFeO3(BFO) is a promising candidate for the future multifunctional devices, such as Magnetoelectric sensor, Integrated Circuit, Spin-electron device and Memorizer, due to its coexistent ferroelectric with Curie temperature of 850℃, ferromagnetic with Néel temperature of 370 °C and piezoelectric properties at room temperature. Bi1-xErxFeO3, Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3, Bi0.9Er0.1Fe0.98-xCo0.02MnxO3 and Bi1-xErxFe0.96Co0.02Mn0.02O3 thin films were deposited on FTO/glass substrates by a sol-gel method. The raw materials are Bi(NO3)3·5H2O, Fe(NO3)3·9H2O, Co(NO3)2·6H2O, C4H6MnO4·4H2O and Er(NO3)3·5H2O. The microstructures, morphologies, leakage current, ferroelectric and magn