模拟电CH9.ppt

* * 10 * * （1） 输入电压，输出恒压 电压串联负反馈 (2) vf (3) 10 即Vc13V * * 输出功率及效率 若忽略交越失真的影响，且 vi 幅度足够大。则： uL ULmax ui t t * (Vom≤Vcc/2) (Vom≤Vcc/2) (Vom≤Vcc/2) OTL功放的公式变换： 以VCC/2代替原来公式中的VCC。 (Vom≤Vcc/2) (Vim≤Vcc/2) 78.5% * 如果既想输出无电容，又用单电源，可用桥式互补电路： 输入电压的正半周： ＋VCC→ T1 → RL→ T4→地 输入电压的负半周： ＋VCC→ T2 → RL→ T3→地 负载不接地，单电源 输出功率大 特点： 差动输入、差动输出 管子多，损耗大，效率低。 9.4.3 MOS管甲乙类双电源互补对称电路 复合管 消除高频振荡 温度补偿温度升高ID上升，T8的VCE下降，使VGG减少 VBE扩展电路提供静态偏置 VBE扩展电路提供静态偏置 复合管低输出阻抗满足高速工作条件 消除高频振荡 * 功率管的散热问题 功率管在工作时，由于经过的电流很大 因此功率管的功率消耗很大 集电极容易发热 当温度超过允许最高结温时，管自将损坏。 所以一定要注意采取增加散热面积、改变环境温度等措施降低结温。 且集电极体积较小热阻大发热不易散发出去 * 功率放大的发展： 有变压器输出 无变压器输出（OTL）---但有电容输出 无电容输出（OCL） 桥接式负载（BTL）--单电源供电 * 功率放大的种类： 变压器输出，单电源供电，笨重，效率低，低频特性差。 OTL（Output TransformerLess）无变压器输出，单端推挽式无输出变压器功率放大电路 。单电源供电，低频特性差。 OCL（ Output CapacitorLess）无电容输出，无输出电容直接耦合的功放电路 。双电源供电，效率高，低频特性好，用途广。 BTL（Bridge-Tied-load）桥接式负载，桥式推挽功放或称平衡式无输出变压器电路。单电源供电，低频特性好；双端输入双端输出，无地，主要用于音响。 * 几个电路的效率都是78% * 功率放大电路分类 按耦合方式（直接OCL 、电容OTL 、变压器） 按功放管（电子管、BJT、MOSFET、集成功放） 按工作状态（甲、乙、甲乙、丙类） 按电路形式（单管、推挽OCL 、桥式BTL ） * 功率放大电路重点 甲乙类功放工作原理 功率、电压和效率的计算 器件选择 * 9.5 功率管 9.5.1 功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问题 9.5.2 功率VMOSFET和DMOSFET 9.5.1 功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问题 1. 功率BJT的散热 功率BJT外形 在给负载输送功率的同时，管子本身也要消耗一部分功率。 管子消耗的功率直接表现在使管子的结温升高。 当结温超过一定温度时（锗管一般约为90℃，硅管约为150℃），会使管子损坏。 在BJT中，管子上的电压绝大部分降在集电结上，它和流过集电结的电流造成集电极功率损耗，使管子产生热量。所以通常用集电极耗散功率来衡量BJT的耗散功率。 1. 功率BJT的散热 功率BJT的最大允许耗散功率PCM，总的热阻RT、最高允许结温Tj和环境温度Ta之间的关系为 Tj－Ta＝RTPCM 其中，热阻RT 包括集电结到管壳的热阻，管壳与散热片之间的热阻，散热片与周围空气的热阻。单位为℃/W（或℃/mW）。 当最高结温和环境温度一定，热阻越小，允许的管耗就越大。散热片及其面积大小可以明显改变热阻的大小。 例如，某BJT不加散热装置时，允许的功耗PCM仅为1W，如果加上120×120×4mm3的铝散热板时，则允许的PCM增至10W。 通常手册中给出的PCM，是在环境温度为25℃时的数值。 9.5.1 功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问题 2. 功率BJT的二次击穿 实际应用中，功率BJT并未超过允许的PCM值，管身也不烫，但功率BJT却突然失效或者性能显著下降。这种损坏不少是二次击穿引起的。 产生二次击穿的原因主要是由于流过BJT结面的电流不均匀，造成结面局部高温（称为热斑），因而产生热击穿所致。与BJT的制造工艺有关。 因此，功率管的安全工作区，不仅受集电极允许的最大电流ICM、集射间允许的最大击穿电压V(BR)CE和集电极允许的最大功耗PCM所限制，而且还受二次击穿临界曲线所限制。 9.5.1 功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问题 3. 提高功率BJT可靠性的主要途径 （1）在最坏的条件下（包括冲击电压在内），工作电压不应超过极限值