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高精度时钟芯片SD2001E及其应用_单片机论文 单片机论文 摘要：介绍一种内置晶振、充电电池、串行NVRA的高精度和免调校实时时钟芯片SD2001E。由该芯片构成的时钟电路具有精度高、外围电路和接口电路简单的特点。文中详细描述芯片的主要特性、引脚说明及其工作原理，给出在嵌入式系统中的应用方法、硬件接口电路及应用程序。 关键词：SD2001E 实时时钟 单片机实时时钟电路在以单片机为核心构成的智能仪器仪表、测控系统、工业控制等领域有着广泛的应用，但现有的时钟电路存在着外围电路（如需外接晶振、电池）和接口电路（并行接口）复杂、功能单一等缺点。SD2001E则是在内部集成了实时时钟电路、串行非易失性SRA、可充电电池、晶振及电池管理电路的新型实时时钟芯片。该芯片与单片机的接口电路采用工业标准I2总线，从而简化了接口电路设计。利用该芯片无需扩展任何外围元件，即可构成一个高精度实时时钟及具有256Kb非易失性SRA的数据存储电路。1 主要特性及引脚说明SD2001E时钟芯片的主要特性如下：*年、月、日、星期、时、分、秒的BD码输入/输出；*I2总线接口（包括实时时钟部分和SRA部分）；*自动日历到2099年（包括闰年自动换算功能）；*内置晶振，出厂前已对时钟进行校准，保证精度为±4×10 -6，即时钟年误差小于2in；*低功耗，典型值为1.0μA（VDD=3.5V）；*工作电压为3.0～5.5V（其中NVRA在4.5～5.5V工作）；*可设置的两路闹钟输出及32 768Hz～1Hz的方波信号输出；*可设置的每分钟固定中断输出或选定频率固定中断输出；*内置充电电路和充电电池，充满一次可保持内部时钟走时时间超过1年以上，可满充电次数达200次；*内置电源管理电路，当VDD≥3.0V，内部电池不耗电；*内置稳定电路及电池掉电检测电路；*内置256Kb的非易失性SRA，其擦写次数为100亿次，且没有内部写延时。SD2001E采用24脚DIP封装形式。各引脚的功能如表1所列，其外形及引脚排列如图1所示。 表1 SD2001E引脚说明引脚号标 廖功 能特 征3TEST测试内部电池电压检测4N/FF打开/关闭SRA，接低电平为打开SRA，接高电平时关闭此功能引脚主要用来降低芯片整体功耗10～12GND接地　13SL串行时钟输入脚S输入（与VDD间无保护二极管）14VUT3.3V稳压输出脚，当VDD≥3.4V时有效可供电流≤30A，电压精度3.3（1±0.02）V15SDA串行数据输入/输出脚N沟道开路输出（与VDD间无保护二极管）S输入1、2、22 16～18、5～9N空引脚　19INT1报警中断1输出脚，根据中断寄存器与状态寄存器来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写状态寄存器来禁止N沟道开路输出（与VDD端之间无保护二极管）20SDAESRA串行数据输入/输出脚开路输出21SLESRA串行数据时钟脚S输入23INT2报警中断2输出脚，同INT1　24VDD正电源　2 工作原理SD2001E内部包括实时时钟与NVRA两部分，内部原理框图如图2所示。 2.1 实时时钟SD2001E实时时钟是基于I2总线的器件，故对该器件的操作必须严格遵守总线时序。当PU发出起始条件，建立与实时时钟连接后，PU通过SDA总线连续输出4位器件地址、3位操作指令和1位读/写指令，其格式如下：DB7DB6DB5DB5DB3DB2DB1D/实时时钟器件的地址固定为“0110”，接下来的3位操作指令构成了对实时时钟部分的8条操作指令，具体指令含义如表2所列。 表2 SD2001E实时时钟指令表210操 作AK数目000复位00（年），01（月）有，01（天），0（星期）00（分），00（秒）1001状态寄存器存取2010实时数据1（从年数据开始）存取8011实时数据2（从小时数据开始）存取4100频率事件设置1（INT1脚）3101频率事件2（INT1脚）3110测试模式开始1111测试模式结束1PU通过发送不同操作指令，选择相应的寄存器从而完成相应的操作功能。SD2001E实时时钟部分共包括4个寄存器，分别分别如下：（1）实时数据寄存器实时数据寄存器是一个56位的存储器。它以BD码方式存储，包括年、月、日、星期、时、分、秒的数据，数据格式如图3所示。任何读/写操作或实时数据存取命令都通过发送或接收年数据的第一位“LBS”执行的。*年数据（00～99）：设置最后两位数字（00～99），通过自动日历功能计至2099年。*月数据（01～12）：每月包含天数通过自动日历功能来更改。1、3、5、7、8、10、12为1～31；4、6、9、11为1～30；2（闰年）